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TO-220 在产 2015年 ¥1.946 数据手册(1) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (3) 反馈错误 by FindIC.com UF640L-TA3-T 数据手册 反馈错误 UF640L-TA3-T 其他数据使用手册1 其他数据使用手册 2015-08-19 6页,270 KB下载 UF640L-TA3-T 其他数据使用手册6 页,270 KB2015-08-19查看 ...
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UF640L-TA3-T 价格参考￥ 5.1127 。 UTC UF640L-TA3-T 封装/规格: TO-220-3, 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):123W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;。你可以下载 UF640L-TA3-T 中文资料、引脚图、Datasheet数据...
本文主要介绍友顺MOS场效应管UF640L TO-220 N沟道,200V,18A,180mΩ@10V详情MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管,英文缩写为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor,即金属氧化物合成半导体的场效应晶体管)属于绝缘栅型。 在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层,因此具有很高的输入电阻...