Vishay漏极至源极耐压MOSFET SiRA60DDP-T1-UE3 / SiR626ADP-T1-RE3 分享到: QQ新浪微博 Vishay TrenchFET®第四代MOSFET是新一代TrenchFET®系列功率MOSFET,具有业内超低导通电阻RDS(on)的特性,进一步降低了导通损耗以及功耗。并拥有低栅极总电荷的特性。采用PowerPAK®SO-8封装,能以三分之一的尺寸实现相近...