原装UCC27211DR 丝印27211 SOP8 4A 半桥 门驱动器 栅极驱动芯片 UCC27211DR 1000 HH -- ￥13.0000元1~-- 件 沭阳道而驰亦电子商务有限公司 2年 -- 立即订购 立即询价 查看电话 TI 隔离式栅极驱动器 UCC27211DR 门驱动器 120V Boot,4A Peak,Hi Freq Hi/Lo-Side DrvrUCC27211DR ...
制造商TI(德州仪器) 唯样编号G-UCC27211DR 供货Arrow代购 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 ...
UCC27211DR由TI(德州仪器)设计生产,立创商城现货销售。UCC27211DR价格参考￥6.51。TI(德州仪器) UCC27211DR参数名称:驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;驱动通道数:2;灌电流(IOL):4A;拉电流(IOH):4A;工作电压:8V~17V;上升时间(tr):7.2ns;下降时间:5.5ns;工作
产品型号UCC27211DRMR 数量 产品信息 联系方式 品牌 TI/德州仪器 型号 UCC27211DRMR 封装形式 SMD 导电类型 双极型 封装外形 扁平型 集成度 超大规模(>10000) 工作温度 -40 to 140℃ 数量 3000 封装 VSON (DRM) | 8 1 特性 可通过独立输入驱动两个采用高侧/低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体...
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UCC27211DRMR由TI(德州仪器)设计生产,立创商城现货销售。UCC27211DRMR价格参考￥10.85。TI(德州仪器) UCC27211DRMR参数名称:负载类型:MOSFET;驱动通道数:2;灌电流(IOL):4A;拉电流(IOH):4A;工作电压:8V~17V;上升时间(tr):7.2ns;下降时间:5.5ns;传播延迟 tpLH
UCC27211DRMR - 具有 8-V UVLO 和 TTL 輸入的 4-A、120-V 半橋閘極驅動器 採用 VSON (DRM) 封裝,其中具有 8 個針腳
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UCC27211 www.ti.com SLUSAT7B – 2011年11月 – 修订后的2012年2月 120 -V启动, 4 - A峰值,高频高侧/低侧驱动器 检查样品: UCC27210 , UCC27211 1 特点 驱动两个N沟道MOSFET 高侧/低侧配置有 独立输入 最大启动电压120 V DC 4 ,水槽, 4 -A源输出电流 ...
UCC27211DR -(Texas Instruments)- PMIC - 栅极驱动器 制造商型号:UCC27211DR 制造商: Texas Instruments 产品类别:Active 商品描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 详细说明:- 定价(未税) 数量单价总价 113.6513.65 库存数量:2593 可立即发货发货时间:当天最小起订:1 ...