芯片手册中没有明说能否使用在移相全桥拓扑中,但从芯片手册里表现出来的,单纯只是作同步整流,能否使用?供电可以用辅助绕组单独供电。 UCC24612能用在副边全波整流的拓扑。 TI的全桥移相芯片都自带同步整流控制。 您好,感谢回复,我们是采用280049C来进行控制的,但由于资源不够,所以无法给副边的开关管驱动信号。下...
Part Number:UCC24612 图1是采用二极管整流,同步整流未接入电路状态下,同步整流的驱动波形;图2为接入电路后出现的异常,主电路的驱动信号同样被影响,造成整个系统异常。布局方法采用了datasheet推荐的布局方式。出现异常的原因目前找不到,采用的控制器为UCC24612-1 或者将对照一下TI的参考电路,首先确认不是设计上...
UCC24612-2DBVT 规格参数 是否无铅: 不含铅 是否Rohs认证: 符合 生命周期: Active 包装说明: LSSOP, Reach Compliance Code: compliant Factory Lead Time: 6 weeks 风险等级: 1.68 模拟集成电路 - 其他类型: SWITCHING CONTROLLER 控制技术: RESONANT CONTROL 最大输入电压: 28 V 最小输入电压: 4 V 标称...
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驱动器,适用于标准和逻辑电平 N 沟道MOSFET功率器件。通过实现近乎理想的二极管仿真UCC24612可降低输出整流器的损耗,并间接降低初级侧的损耗。漏极到源极 (VDS 系列) 传感控制方案允许UCC24612使用多种拓扑结构,例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。 集成...
德州仪器公司的UCC24612是标准和逻辑级n通道MOSFET功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实现一个接近理想的二极管仿真UCC24612,减少了输出整流器的损耗,并间接地降低了一次侧损耗。漏到源(V(DS))传感控制方案允许UCC24612与多种拓扑协同工作,如有源钳反激、QR/DCM/CCM反激、LLC等。
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Texas InstrumentsUCC24612 是高性能同步整流器控制器和驱动器,用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件。通过实施近乎理想的二极管仿真,UCC24612 降低了输出整流器损耗并间接降低了初级侧的损耗。漏源 (VDS) 检测控制方法使得 UCC24612 能与多个拓扑结构配合工作,如有源箝位反激式、QR/DCM/CCM 反激式、LLC ...
UCC24612 是用于标准和逻辑电平 N 沟道 MOSFET 功率器件的高性能同步整流器控制器和驱动器。通过实施接近理想的二极管仿真,UCC24612 可减少输出整流器的损耗,并间接减少初级侧损耗。漏极到源极 (VDS) 传感控制方案允许 UCC24612 使用多个拓扑结构,例如有源钳位反激式、QR/DCM/CCM 反激式和 LLC 等。 集成 特性...
UCC24612-1DBVR 全球供应商 全球供应商 (4家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -205立即发货1RMB ¥税8.0648.0648.0648.0648.064购买 德州仪器(TI) -6269立即发货1RMB ¥税4.9204.9203.7851.9911.991购买 ...
800 kHz for UCC24612-2 Wide VDD Range Allows for Direct Bias from 5-V to 28-V Output Systems 4-A Sink, 1-A Source Gate Driver with Proportional Gate Drive Adaptive Minimum Off-time for Increased Noise Immunity Cycle Limit Pre-Turn-off Improves Efficiency in CCM ...