UCC21759QDWRQ1 概述 适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有 DESAT 和内部钳位的汽车类 3.0kVrms、±10A 单通道隔离式栅极驱动器 | DW | 16 | -40 to 150 UCC21759QDWRQ1 数据手册通过下载UCC21759QDWRQ1数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息...
UCC21759QDWRQ1 最新产品发布: 光MOS继电器:1500v,3750Vrms,6pin; 逻辑10Mbp高隔离光耦:7500Vmrs,10Mbps,Lsop8 立即购买下载高清PDF 产品概括 这是一款采用二氧化硅(SiO2)作为隔离层的隔离式栅极驱动器,可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件,高达30V的电源电压范围允许使用双极性电源来有效驱动IGBT和SiC功率FET。高性能...