UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。 输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。 --- ...
器件型号:UCC21710-Q1 海 我们使用UCC21710-Q1设计了栅极驱动器板、并使用 OC 引脚进行去饱和保护、如下图所示、用于驱动 SIC -MOSFET 我们为 RT25-5Kohm、RT22-15Kohm、RT21-2600ohm 和电容器 CT19 0.22nF 以及两个二极管(每个二极管的正向压降为1.8V)获取的值。根据数据表中...
器件型号:UCC21710-Q1 主题中讨论的其他器件:UCC21710、UCC21732 我尝试仿真过流故障、以验证数据表中建议的去饱和电路。 但是、我遇到的故障和关断之间的延迟比预期的要长、大约为3us、如下图所示。 这是预期行为吗? 电路如下所示。 UCC21710模型以 UCC21732符号的形式导入到 PS...
TI’s UCC21710-Q1 is a Automotive 5.7kVrms 10A single-channel isolated gate driver with overcurrent protection for IGBT/SiC. Find parameters, ordering and quality information
Part Number:UCC21710-Q1 Can the spice model of this part no be simulated in LTspice? Hi,Jagruti, Welcome to e2e, and thanks for your interest in our products. You should be able to import the encrypted model in our Product Folder into LTSpice. You can find ...
UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
器件型号:UCC21710-Q1 主题中讨论的其他器件:UCC21732、 UCC21710、UCC21750 您好! 遗憾的是、我在尝试对 UCC217xx 进行仿真时卡住。 第一个问题是:符号的标题是 UCC21732、但在库中它的名称是21710。 哪一个驱动器是该模型。 后来我想使用21755但没有模型可用。 ...
[参考译文] UCC21710-Q1:Vcc=5V 条件下的 Vinh、VINL、VINHYS 规格 admin Guru***1910020points 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group...
器件型号:UCC21710-Q1 主题中讨论的其他器件:UCC21710、UCC21732 我尝试仿真过流故障、以验证数据表中建议的去饱和电路。 但是、我遇到的故障和关断之间的延迟比预期的要长、大约为3us、如下图所示。 这是预期行为吗? 电路如下所示。 UCC21710模型以 UCC21732符号的形式导入到 PS...