能带排列是指异质结中能带边缘的对齐方式。在ii型能带排列中,导带的最低能级和价带的最高能级分别位于两个半导体中,这意味着电子和空穴在异质结中分别是在不同的半导体中迁移。 ii型能带排列具有许多独特的电子学和光学性质,已经在半导体器件的设计和应用中得到广泛应用。以下是一些与ii型能带排列相关的内容: 1....
2. ii型能带排列的半导体异质结: 2.1 ii型能带排列概念解释: ii型能带排列是指在半导体异质结中,导带和价带的边界发生了反转,即导带和价带在空间分布上相互交叠或发生错位。与i型能带排列不同,ii型能带排列在异质结中形成了一个电子束缚态,这种电子束缚态能够限制电子的移动并引起诸如增强光吸收、光致发光等现象...
同时,采用S-O键修饰的In2S3可以减少表面的缺陷态。 文章要点3:对能带位置的进一步研究,揭示出In2S3和F-Fe2O3之间形成的type-Ⅱ型异质结。这种独特的异质结构为电荷分离和传输提供了强大的驱动力,从而产生了令人满意的体相和表面电荷分离效率。 图2. IFH和unIFH光阳极的XPS表征。 图3. α-Fe2O3, FH, un...
受到近年来二维材料领域过渡金属硫族化物异质结发展的启发,这些单层卤化物双钙钛矿的合成制备为实验上生长晶格匹配的垂直和横向异质结器件提供了可能性,同时通过构建异质结器件也为解决当前卤化物双钙钛矿领域面临的挑战提供了新的思路。因此,研究和探讨单层卤化物双钙钛矿异质结的光电性能就变得非常重要而紧迫。 成果简介 近...
调控异质结光催化剂中载流子迁移路径是提高光催化析氢性能的有效策略。近日,曲阜师范大学颜廷江课题组成功合成了基于两种CdWO4晶型的CdS/CdWO4异质结光催化剂,探究发现晶体结构和表面缺陷对光催化过程中载流子迁移机制起着关键作用。当CdS负载到单斜相CdWO4(M-CdWO4),形成的CdS/M-CdWO4异质结遵循type II电荷转移...
·O-2)和空穴(h+)均为主要的氧化活性物种.此外,我们还采用光电化学测量研究了其光催化机理.光催化活性的增强是由于在MgSn(OH)6和SnO2之间形成了Type-Ⅱ型异质结,加速了光生电子和空穴的有效分离.循环实验表明MSOH-SO-50样品具有良好的光催化降解和结构稳定性.本文的研究为探索新型,高效的半导体光催化剂提供了...
我们选取了全固态Z-Scheme异质结结构作为模型,制备出TiO2-C-C3N4三元复合催化剂.全固态Z-Scheme异质结结构是指在两个带隙匹配的半导体之间引入导电材料,半导体之间不直接接触.在太阳光的激发下,导电材料两侧的半导体被同时激发,电子分别从两者的价带跃迁至导带,并在价带上留下空穴.由于两者之间存在电子导体,处于中间...
但是typeI的分析却很少，不知道有没有什么相关的详细的文献或者书籍有对typeI型异质结的应用以及基本的...
频率特性是异质结双极型晶体管(HBT)设计中应首先考虑的因素,而fT,fmax则是HBT最主要的频率性能指标。 3. An InP-based single-heterojunction bipolar transistor(SHBT)with base μ-bridge and emitter air-bridge is reported. 报道了具有基极微空气桥和发射极空气桥结构的InP单异质结双极型晶体管(SHBT)。 更...
[translate] aas evidenced by the quenching of the PbS photoluminescence (PL), a sign of the presence of charge separating type II heterojunction. 如通过熄灭PbS photoluminescence见证 (PL),分离类型II异质结的充电出现的标志。[translate]