同时,采用S-O键修饰的In2S3可以减少表面的缺陷态。 文章要点3:对能带位置的进一步研究,揭示出In2S3和F-Fe2O3之间形成的type-Ⅱ型异质结。这种独特的异质结构为电荷分离和传输提供了强大的驱动力,从而产生了令人满意的体相和表面电荷分离效率。 图2. IFH和unIFH光阳极的XPS表征。 图3.α-Fe2O3, FH, ...
▲图2:(Cs4CuBiI8)3/(Cs4AgInI8)3横向异质结的晶体结构和电学性质 ▲图3:(Cs4CuBiI8)3/(Cs4AgInI8)3横向异质结的平均面电荷密度分布和能带对齐 ▲图4:通过外延应变调控(Cs4CuBiI8)3/(Cs4AgInI8)3横向异质结的电学性质(能带结构、有效质量)和带边跃迁偶极矩 ▲图5:通过组分调控(Cs4CuBiI8)m/(Cs4AgIn...
能带排列是指异质结中能带边缘的对齐方式。在ii型能带排列中,导带的最低能级和价带的最高能级分别位于两个半导体中,这意味着电子和空穴在异质结中分别是在不同的半导体中迁移。 ii型能带排列具有许多独特的电子学和光学性质,已经在半导体器件的设计和应用中得到广泛应用。以下是一些与ii型能带排列相关的内容: 1....
2. ii型能带排列的半导体异质结: 2.1 ii型能带排列概念解释: ii型能带排列是指在半导体异质结中,导带和价带的边界发生了反转,即导带和价带在空间分布上相互交叠或发生错位。与i型能带排列不同,ii型能带排列在异质结中形成了一个电子束缚态,这种电子束缚态能够限制电子的移动并引起诸如增强光吸收、光致发光等现象...
该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的方案,并给出了调控它们电子结构和光学性能的手段,为将来实验上实现高性能的横向异质结器件提供了有意义的理论指导。该成果以“Type-II Lateral Heterostructures of Monolayer Halide Double Perovskites for Optoelectronic Applications” (DOI: 10.1021/...
该研究结果提出了构建type-II型能带对齐的单层双钙钛矿横向异质结的方案,并给出了调控它们电子结构和光学性能的手段,为将来实验上实现高性能的横向异质结器件提供了有意义的理论指导。该成果以“Type-II Lateral Heterostructures of Monolayer Halide Double Perovskites for Optoelectronic Applications” (DOI: 10.1021/...
不同类型的异质结对载流子的影响主要体现在以下几个方面: 类型I异质结: 在类型I异质结中,电子和空穴的能带是连续的,这有助于载流子的有效注入和输运。 由于能带直接对齐,载流子容易在界面处分离,但同时也可能导致较高的界面复合率,影响载流子的寿命。 类型I异质结通常适用于需要...
·O-2)和空穴(h+)均为主要的氧化活性物种.此外,我们还采用光电化学测量研究了其光催化机理.光催化活性的增强是由于在MgSn(OH)6和SnO2之间形成了Type-Ⅱ型异质结,加速了光生电子和空穴的有效分离.循环实验表明MSOH-SO-50样品具有良好的光催化降解和结构稳定性.本文的研究为探索新型,高效的半导体光催化剂提供了...
一种半导体材料生长在另一种半导体材料上所形成的接触过渡区称谓异质结,依照二种材料的导电类型分为同型异质结(Pp或Nn)或异型(Pn或Np)异质结,多层异质结则称为异质结构。 1949年W.肖克莱发明晶体管时就曾设想过利用异质结宽带隙发射极单向注入的特点提高发射极的注入比,从而企望获得更大的晶体管电流放大系数,但...
另外,以MoTe2为基底垂直堆叠BAs构建了稳定的MoTe2/BAs异质结,并对其电子特性和光催化反应机制进行了一系列探索.根据计算结果,直接带隙值为0.70eV的MoTe2/BAs异质结拥有Type-Ⅱ型能带排列,这为光催化应用提供了不可或缺的条件.内置电场加速了MoTe2中光生空穴和BAs中光生电子的重组,致使异质结构中光激发电子和空穴...