tWTR是内存写入命令与读取命令延迟,定义了控制器发出写入命令后到读取命令的间隔时间。tWTR在DDR4中还细分为tWTR-S和tWTR-L,而DDR3因为没有Bank Group这个特性,所以并不区分-S或-L。 两者的区别是tWTR-S的Bank Group地址不同,写入地址位于BGb,读取地址位于BGb。tWTR-L则是同一个Bank Group中发生的写入与读取命...
然后进入第二时序,首先就是之前我提到的trrd S trrd L tfaw(msi板子上面前面那个,没有s)。能锁4 、6、16就锁(这里前提是不是高频,高频几乎稳不住。),如果烤机不能过测,放松参数记住口诀(tfaw每次加4,其实8也可以,trrds是tfaw的1/4,L是S加2),至于tfaw到底是干啥的 百度一大堆。这里也是用olie烤机。
2. 关于TWTR和TWTR_L的问题:这两个参数分别代表内部写入到外部的时序和内部读写的时延。这两个参数的调整与内存颗粒的体质有很大关系。如果是体质不好的残血B-die颗粒,建议不要过度提高这些参数的值。可以考虑适当降低频率或者增加一些电压来提升稳定性。如果仍然不能解决问题,同样需要清空CMOS后重新设置。3. 其他...
Radeon 15 这两个参数在压时序的过程中应该自动。由第三时序twrrd控制。因为其和第三时序的wrrd-sg 和wrrd-dg联动。具体公式为wrrdsg=twtr-l+tcwl+6,wrrddg=twtr-s+tcwl+6登录百度帐号 扫二维码下载贴吧客户端 下载贴吧APP看高清直播、视频! 贴吧页面意见反馈 违规贴吧举报反馈通道 贴吧违规信息处理公示26...
ECS,error的检测与scrub,修复? 二、时序 tRP,预充电命令的执行周期,预充电与下一个ACT的间隔,这里的预充电指的是开始内部预充电操作的起点; tRAS, tPPD, 相邻两个预充电命令的间隔; tCCD, 两次读写间的间隔; tRRD_S,不同BG间的ACT间隔; tRRD_L, 同一个BG内的ACT间隔; ...
tWTR_S表示不同bank,tWTR_L表示相同bank 11、tREF - Refreshh Period tREF (Refreshh Period):刷新周期,它指的是内存模块的刷新周期。(一般为微秒,us) tREFI 指的是平均刷新间隔。从原理上看,DRAM存储单元基于一个电容,64ms是电容的放电时间。DRAM是按照行列组织的,执行一个刷新命令会把某行上所有的存储单元(...
我这是bdie单面,图2里是新款,我是老款的。双面别抄。我的不是极限小参,还能往下压,懒得压了,效能也差不多了。体制好的可以压这几个小参试试,TWR可以往下压,每次减2可以压到12或者10。TWTR每次减1最低1。TWTR_L可以压到5。TRTP最低5,tcke可以试试6或者4,第三时许的2个5和2个10已经是极限了,可以...
作者: $Twitter(TWTR)$上有人问“为什么美国人更喜欢 iMessage 而不是 WhatsApp?” 其中几个中肯的回答是这么说的 “相对而言,$苹果(AAPL)$比$Meta(META)$更值得信赖” “我信任苹果,我不信任Meta或扎克伯格。” 有种国人信任腾讯,不信任百度的感觉...
the annual refreshes that we do that happened in Q2 that have an outsized impact on Q2’s P&L because they start to vest in Q2 and also you have a little catch up. We have the same dynamic last year as we granted the same way and as long as we’re granting this you should expe...
Notable Earnings: Twitter (TWTR), GoPro, Inc. (GPRO), Akamai (AKAM), Cirrus Logic (CRUS), Buffalo Wild Wings (BWLD)