这里要记得把LDT跟GDT是联系在一起的,别忘了填充GDT中进程的LDT的描述符。protect.c init_descriptor( &gdt[INDEX_LDT_FIRST], //设置填充地址位置(GDT中的LDT描述符 ) vir2phys(seg2phys(SELECTOR_KERNEL_DS),proc_table[0].ldts), //LDT基址,这个GDT中的LDT基址指向proc_table[0].ldts(1) LDT_SIZE ...
GDT放电管特性: 1.通流量大; 2.极间电容小(≤3pF); 3.绝缘电阻高(≥109Ω); 4.击穿电压分散性较大(±20%); 5.反应速度较慢。 TSS放电管特性: 1.通流量几十至百安培; 2.脉冲击穿电压高; 3.精确导通、快速响应; 4.漏电流低; 5.可靠性高。 通过以上特性,我们可以了解到这两种放电管在某些方面两...
对于电子产品而言,保护电路是为了防止电路中的关键敏感型器件受到过流、过压、过热等冲击的损害。保护电路元件的优劣对电子产品的质量和寿命至关重要。 常见过电压保护元件: 压敏电阻型(MOV):这种保护器利用金属氧化物压敏电阻的非线性特性,当电压超过一定值时,电阻迅速下降,从而分流过电压。 气体放电管型(GDT):利用...
第一个转换是通过GDT的分段机制,第二个转换是通过分页机制。CPU使用logical addr, CPU中的MMU部件使用 physical addr。比如一个程序编译后,代码段的指令地址是0x08048888,这就是logical addr,CPU就取这个地址。 GDT是一个表,用来实现logical addr--> linear addr的转化,也就是分段思想的实现。gdtr寄存器指向GDT在...
在众多过电压保护元件中半导体放电管以其性能稳定、重复性好、寿命长、响应速度快等综合优点。 ■深圳浪拓电子专注于GDT、TSS、TVS、ESD、复合器件等产品的研发、生产及销售,是国内一流的防护器件厂商。 超低残压半导体TSS.pdf 过压保护器件选型攻略.pdf
GDT陶瓷气体放电管与TSS固体放电管的区别,主要表现在其特性上。GDT放电管特性:1.通流量大;2.极间电容小(≤3pF);3.绝缘电阻高(≥109Ω);4.击穿电压分散性较大(±20%);5.反应速度较慢。固体放电管特性:1.通流量几十至百安培;2.脉冲击穿电压高;3.精确导通、快速响应;4.漏电流低;5.可靠性高。
GDT陶瓷气体放电管：陶瓷气体放电管可以说是应用极为广泛的一种防雷器件了，因为无论是直流电源的防雷，还是各种信号的防雷，对于GDT放电管来说都能起到效果极好的保护作用，其特点是通流量大、极间电容小、绝缘电阻高、击穿电压范围大。TSS半导体放电管：半导体放电管是利用晶闸管原理制成的过电压保护器件。它依靠...
电源与信号防护器件包括 气体放电管（GDT）半导体放电管（TSS)TVS 深圳市科普伦科技有限公司 1、气体的放电管 深圳市科普伦科技有限公司 气体放电管特性 气体放电管(gasdischargetube)-GDT由密封于气体放电管介质的（不处在大气压力下的空气中）一个或一个以上放电间隙组成的器件，用于保护设备和（或）人身免遭高压...
Linux进程描述符中的TSS(Task State Segment)是一个数据结构,用于保存进程的状态信息。TSS在x86架构中尤为重要,因为它与任务切换和特权级保护密切相关。 基础概念 TSS(Task State Segment): TSS是一个段描述符,存储在全局描述符表(GDT)中。 它包含了进程切换时需要保存和恢复的所有寄存器状态。
优恩半导体 - 共模滤波器/扼流圈,RS485/422 收发器,小信号肖特基二级管,RS232 总线收发器,瞬态抑制二极管,SPG,陶瓷气体放电管,TVS,分立功率器件,CAN 总线收发器,GDT,自恢复保险丝,绕线熔断保险电阻,CMF,玻璃气体放电管,CHIP VARISTOR,静电放电,稳压二极管,静电保护器,贴片压敏电阻,移动电话,CAN收发器,磁珠,小信号...