这里要记得把LDT跟GDT是联系在一起的,别忘了填充GDT中进程的LDT的描述符。protect.c init_descriptor( &gdt[INDEX_LDT_FIRST], //设置填充地址位置(GDT中的LDT描述符 ) vir2phys(seg2phys(SELECTOR_KERNEL_DS),proc_table[0].ldts), //LDT基址,这个GDT中的LDT基址指向proc_table[0].ldts(1) LDT_SIZE ...
GDT陶瓷气体放电管：1.通流量大，2.极间电容小(≤3pF），3.绝缘电阻高(≥109Ω)，4.击穿电压分散性较大(±20%)，5.反应速度较慢；TSS放电管：1.通流量几十至百安培，2.脉冲击穿电压高，3.精确导通、快速响应，4.漏电流低，5.可靠性高；优恩小编通过对比GDT陶瓷气体放电管与TSS放电管的各项特性，得出以...
过压器件又根据作用方式的不同分为钳位型和开关型。开关型过压器件就是我们熟知的防雷器件:陶瓷气体放电管、半导体放电管和玻璃放电管,另一类的钳位型过压器件有钳位型过压器件有瞬态抑制二极管、压敏电阻、贴片压敏电阻和ESD放电二极管。 保护电路所采用的元器件的性能优劣则是保护电路能否有效作用的关键。正所谓术业有...
GDT陶瓷气体放电管与TSS固体放电管的区别,主要表现在其特性上。GDT放电管特性:1.通流量大;2.极间电容小(≤3pF);3.绝缘电阻高(≥109Ω);4.击穿电压分散性较大(±20%);5.反应速度较慢。固体放电管特性:1.通流量几十至百安培;2.脉冲击穿电压高;3.精确导通、快速响应;4.漏电流低;5.可靠性高。 通过以上...
深圳浪拓电子的电路保护器件包括了全系列陶瓷气体放电管(GDT)、瞬态抑制二极管(TVS)、半导体放电管(TSS)、ESD保护二极管、玻璃气体放电管(SPG)等。 今天来认识几种重要的无源防护器件,主要针对这些器件在电源端口的防护设计中的应用。 一、器件介绍 1、气体放电管GDT ...
在众多过电压保护元件中半导体放电管以其性能稳定、重复性好、寿命长、响应速度快等综合优点。 ■深圳浪拓电子专注于GDT、TSS、TVS、ESD、复合器件等产品的研发、生产及销售,是国内一流的防护器件厂商。 超低残压半导体TSS.pdf 过压保护器件选型攻略.pdf
GDT陶瓷气体放电管：陶瓷气体放电管可以说是应用极为广泛的一种防雷器件了，因为无论是直流电源的防雷，还是各种信号的防雷，对于GDT放电管来说都能起到效果极好的保护作用，其特点是通流量大、极间电容小、绝缘电阻高、击穿电压范围大。TSS半导体放电管：半导体放电管是利用晶闸管原理制成的过电压保护器件。它依靠...
这里也可能有DPL的检验,穿过去了才能继续利用GDT取得ISR所在段的首地址,再根据IDT表项中的偏移就能找到ISR 的地址,然后开始执行。 穿越IDT就是穿越相应的gate,共四种gate:task gate,interrupt gate,trap gate, call gate,这里只说中间两个。 IDT有两类表项: ...
1、前端采用通流量大的GDT,泄放大电流 2、后端采用反应时间快的TSS,残压低,有效保护RS485/232芯片 3、中间采用电阻做退耦,让前面GDT更容易动作,打到泄放电流的作用 4、本方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准,IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌测试标准 ...
电源与信号防护器件包括 气体放电管（GDT）半导体放电管（TSS)TVS 深圳市科普伦科技有限公司 1、气体的放电管 深圳市科普伦科技有限公司 气体放电管特性 气体放电管(gasdischargetube)-GDT由密封于气体放电管介质的（不处在大气压力下的空气中）一个或一个以上放电间隙组成的器件，用于保护设备和（或）人身免遭高压...