“TSMC 7nm工艺使用”升高的源极/漏极外延工艺,应变晶体管沟道并减少寄生效应,一种新颖的接触工艺,以及以不同金属间距和堆叠为特征的铜/低k互连方案。 这个消息是在芯片制造商之间激烈但缩小的竞争的时候。最新趋势的动态表明,TSMC和GF /三星将领先英特尔,世界上最大的芯片制造商和长期的工艺技术的领导者。 台积电...