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TSM160N10 概述 100V N-Channel Power MOSFET 100V N沟道功率MOSFET TSM160N10 数据手册 通过下载TSM160N10数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 TSM160N10 100V N-Channel Power MOSFET TO-220 Pin Definition: 1. Gate ...
TSM160N10LCR由Taiwan Semiconductor(台湾半导体)设计生产,立创商城现货销售。TSM160N10LCR价格参考￥11.44。Taiwan Semiconductor(台湾半导体) TSM160N10LCR参数名称:漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):46A;耗散功率(Pd):83W;阈值电压(Vgs(th)):2.5V。下载TSM
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部件名 TSM160N10LCR功能描述 Low gate charge for fast power switching Download 6 PagesScroll/Zoom 5 100% 制造商 TSC [Taiwan Semiconductor Company, Ltd]网页 http://www.taiwansemi.com标志 5 TSM160N10LCR Taiwan Semiconductor 5 Version: A1610 PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS (Unit: Millimeters) PDFN56 ...
制造商编号 TSM160P04LCRH RLG 制造商 Taiwan Semiconductor 唯样编号 C-TSM160P04LCRH RLG 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 分享: 数据手册 PDF资料下载 暂无数据 参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品...
应该额定电流140A的塑壳断路器，200ma应该分断能力，4p四极就是指L1，L2，L3，N。
hwGTSMDefaultAction INTEGER{pass(1),drop(2)} Read-write The object specifies the default action when no matching policy exists. This object is implemented as defined in the corresponding MIB files. Tradução Coleção Baixar Documentos Última atualização:2024-09-09 № do documen...