本发明属于半导体技术领域,涉及一种具有逆向导通能力的GaN RC‑HEMT器件。本发明在传统GaN HEMT器件的基础上引入了MOS型沟道二极管作为续流二极管,漏源负压使槽型源极结构的侧壁形成电子积累层,纵向续流沟道开启,电流从阳极出发经过纵向沟道后通过势垒层二下方的横向2DEG通路到达阴极,反向续流主通路的导通压降基本不...
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