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-1.5A100mA10A10mA120mA12A150mA15A1A1mA200mA20A240A2A2mA30A30mA350mA3A400mA4A5.5A500mA50mA5A7.5A70mA7A800mA8A 反向耐压VR 1.5V100V10V150V15V170V200V20V220V23V25V28V300V30V35V400V40V45V4V50V5V600V60V70V80V 系列 -1PS61PS7B16WSDSK12-DSK120DSK22 - DSK210MBR201500CT- MBR20200CTMBR2020...
以x=1、h和r分别为8%和3%为基础条件,我们可观察到缴费年限对TRR的影响。由于缴费年限和计发月数之间存在关联,我们假设参保者25岁参加工作,一直缴费至退休年龄,如此在50岁退休时对应的缴费年限和计发月数分别为25年和195个月,在55岁、60岁以及65岁退休时分别对应的是30年和170个月、35年和139个月、40年和1...
Infineon/英飞凌 IRFS3207ZTRRPBF MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC Qg IRFS3207ZTRRPBF 50000 Infineon/英飞凌 TO-263 17+ ￥4.0000元100~499 个 ￥3.9000元500~999 个 ￥3.8000元>=1000 个 深圳市瑞新博创电子技术有限公司 4年 查看下载 ...
IRFZ46NS、IRL520NS、IRLZ14STRR、IRLZ44STRL、IRL3102、IRLI640G、MMBF170-7、IRL3502、IRLZ14STRL、ZXMN6A10N8TA、IRL620S、IRLR2703TRR、BSS138-7、SFP9634、IRL1004S、94-2113、NVMFS5C638NLWFT1G、IRL5602STRR、IRLR2703TRL、RFP70N03、IRL530NL、IRL5602STRL、IRLR3410TRR、IPD65R660CFDATMA1、IRLZ...
栅极电荷(Qg) 170nC @ 10V 反向恢复时间 原厂标准 最大耗散功率 300W 配置类型 N通道/MOSFET 工作温度范围 -55°C ~ 175°C 安装类型 表面安装 应用领域 家用电器,3C数码,智能家居,广电教育, 可售卖地 全国 型号 IRFS3206TRRPBF 品牌 IR/INFINEON 型号 IRFS3206TRRPBF 封装 TO263 批号 最新...
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1 450000(10起订) 数量: X2.5346(单价) 总价: ￥ 25.346 加入购物车立即购买 品牌:VBsemi 型号: IRF3709ZCSTRR-VB 商品编号: 封装规格: TO263 商品描述: 台积电流片,长电封测。N沟道,30V,170A,RDS(ON),3mΩ@10V,4.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.7Vth(V)封装:TO263可用作电机驱动器的功率开关...
属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个P沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)13A 导通电阻(RDS(on))205mΩ@10V,7.8A 耗散功率(Pd)66W 属性参数值 阈值电压(Vgs(th))- 栅极电荷量(Qg)58nC 输入电容(Ciss@Vds)760pF 反向传输电容(Crss)170pF ...