Trc是储存周期时间 tRAS是周期时间 一般DDR2 533是CAS 4 RAS到CAS 4 RAS预充电 4 周期时间 12 DDR2 667则对应为 5-5-5-15 总之数字小的延迟小，性能更佳。
内存尺寸 CL-tRCD-tRP-tRAS PCB规格 CL(CAS Latency):列地址访问的延迟时间,是 137*57*8mm tRAS(RAS Active Time):行地址激活的时间 PCB颜色 型号 列地址的延迟时间 类别 - Blue-于20231010发布在抖音,已经收获了6个喜欢,来抖音,记录美好生活!
https://www.youtube.com/watch?v=vFVslcsuDe0 原标题:What DDR4 timings do 2: THE ABSOLUTE CHAOS OF tRAS, tRP, tRTP and tRC part0: https://youtu.be/105IJiGbGsg part1: https://youtu.be/UtdZaxw2brQ My Patreon: https://www.patreon.com/buildzoid Teespring: https://actually-hardcore-...
对于第一代的DDR内存来说 单独调一个小参 并不会有特别大的性能提升，何况是最不重要的TRAS呢~首命令延迟是其中最重要的，就是 1T 2T那个选项，1T快 然后是CA tRCD tRP 最后才是tRAS 老内存的容量更应该值得你去考虑啊，一般也就512M或1G吧？上到2G 才会玩得动现在的普通应用 重要性：容量>...
referce :https://blog.csdn.net/ghostyu/article/details/7728106 tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间” tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间” CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”...
它通常由行地址选通时间(tRAS)和行预充电时间(tRP)之和决定。tRC决定了在对同一行进行新的访问之前必须等待多长时间。 tRCD (Row to Column Delay Time): tRCD是行到列延迟时间,指的是从激活(打开)一个行地址到读取或写入该行中的列地址所需的最小时间。这个参数决定了存储器从接收到行地址到能够处理列地址...
提高的话是降低了内存的性能，不会对使用寿命带来负面影响。一般用多根内存会降低性能配合最低性能的内存提高其稳定性。如果是降低这些数值以提高性能的话，最好不要那么做，不但不能达到预期效果，而且会缩短使用寿命。
大家伙一块研究一下内..从我目前的学习来看,第一时序,cl值与trcd值较为好摸基本就是与频率和电压有很大关联,会报错蓝屏。但是trp与tras值较为难摸,值的范围比较大,并且怎么设置一般不会出现报错和蓝屏反馈,只能单从跑分
首先,内存参数cL-tRCD-tRP-tRAS。1、CL(CAS Latency):“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)“行寻址至列寻址延迟时间”3、tRP(RAS Precharge Time): “内存行地址控制器预充电时间”4、tRAS(RAS Active Time): “内存行有效至预充电的最短周期”5、CAS是Column Address ...
这个时序的内存应该是ddr400的 这样该没用的具体要看频率 把频率超上去 比如你这个是pc2-3200 能超到6400的话时序应该是6 6 6 18