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AUIRFR5305TR-VB 是一款采用 TO252 封装的单极性 P 沟道 MOSFET,具备高达 -60V 的漏源电压和 -50A 的连续漏电流能力。它采用了 Trench 技术,具有低 RDS(ON) 值,适合于需要高开关效率的应用场景。 ### 参数说明 - **型号**:AUIRFR5305TR-VB ...
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数据表 IRFR5305TRPBF.pdf AUIRFR5305TR.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 宽度 - 6.22mm Rds On(Max)@Id,Vgs 65mΩ@16A,10V 65mΩ 上升时间 - 66ns 产品特性 - 车规 栅极电压Vgs ±20V 20V 封装/外壳 DPAK - 工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C 连续漏极电流Id 31...