TPN11003NL 概述 Nch VDSS≤30V 小信号场效应晶体管 TPN11003NL 规格参数 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, S-PDSO-F5 Reach Compliance Code: unknown 风险等级: 5.73 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 30 V 最大漏极电流 (ID): 31 A 最大漏...
描述 TPN11003NL 型号MOS管是一款高性能N沟道半导体组件,精巧采用DFN3X3-8L封装工艺,尤其适合现代电子设备的小型化需求。该器件具有30V的额定电压VDSS,以及高达30A的强大连续电流ID处理能力,充分满足高功率应用场景的需求。更值得关注的是,其优秀的导通电阻低至9mR,从而实现更高的能量转换效率及系统性能。本产品广泛应...
唯样商城为您提供Toshiba设计生产的TPN11003NL,LQ 元器件,主要参数为:N-Channel 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 150°C(TJ) 30 V 11A(Tc),TPN11003NL,LQ库存充足,购买享优惠!
商品型号 TPN11003NL,LQ 商品编号 C150144 商品封装 PQFN-8(3.1x3.1) 包装方式 编带 商品毛重 0.12克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)11A 属性参数值
型号:TPN11003NL,LQ 品牌:TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE 封装:PowerVDFN8 描述:表面贴装型 N 通道 30 V 11A(Tc) 700mW(Ta),19W(Tc) 8-TSON Advance(3.1x3.1) 国内价格 香港价格 3000+2.336053000+0.28338 6000+2.307666000+0.27993 15000+2.2945315000+0.27834 库存:2857 去购买 型号:TPN11003NL,LQ 品牌...
可订购器件型号 Orderable part number(example)MOQ(pcs)ReliabilityInformationRoHS TPN11003NL,LQ 3000 Yes参考设计 非隔离降压DC-DC转换器 此参考设计提供了多个非隔离降压DC-DC转换器电源的设计指南、数据和其他内容。多种电源针对各种输出、负载和电路板安装区域进行了优化。 详细信息 ...
制造商型号: TPN11003NL,LQ 制造商: Toshiba (东芝) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多TPN11003NL,LQ价格库存...
型号 TPN8R903NL TPN11003NL TPN6R303NC 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品...
Color:TPN2R703NL TPN2R703NL TPH8R903NL TPHN11003NL TPH6R303NC Reviews Due to our system upgrades, this content is currently unavailable in your region. Related items Specifications Package SOP is_customized Yes Model Number TPH2R703NL ...
">TPN11003NLSSM3J117TUTK55S10N1TJ9A10M3TPCA8A09-HSSM6J212FE