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型号 TPH1R403NL 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 150A 包装 编带 最小包装量 5000 批号 新批次 数量 5000 品牌 TOSHIBA(东芝) 功率(Pd) 64W 导通电阻 1.4mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@500uA 工作温度 55~150 封装/规格 DSOP 封装 DSOP-8-EP-5....
型号 TPH1R403NL 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,...
TPH1R403NLTPH1R403NL.L1Q MOS场效应管 IC芯片 DFN5X6 原装全新 深圳市特立芯科技有限公司6年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 TPH1R403NLDFN5X6 N沟道大电流低内阻MOS场效应管芯片IC全新原装 深圳市协灿电子科技有限公司5年
型号 TPH1R403NL,L1Q(M 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活...
完整型号: TPH1R403NL,L1Q(M 描述: High-Efficiency DC-DC Converters / Switching Volta 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 封装/ 箱体: SOP-8 封装尺寸: 5.0×6.0×0.95 Pd-功率耗散: 64 W Id-连续漏极电流: 150 A Qg-栅极电荷: 46 nC 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的...
HY19P03和TPH1R403NL的主要区别体现在以下几个方面: 一、品牌与制造商 HY19P03:由华羿微(HUAYI)品牌生产,属于电子元器件、集成电路范畴。 TPH1R403NL:由东芝(Toshiba)制造,属于晶体管-FET,MOSFET-单个类别。 二、产品特性 HY19P03:作为高性能场效应管,其具体参数和应用场景可能因型号而异,但通常用于电子设备中...