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TPH1R403NL:由东芝(Toshiba)制造,属于晶体管-FET,MOSFET-单个类别。 二、产品特性 HY19P03:作为高性能场效应管,其具体参数和应用场景可能因型号而异,但通常用于电子设备中。 TPH1R403NL:是一款MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP的产品,具有明确的电气特性,如漏源击穿电压30V、漏极电流60A等,适用于特定的电路设计和...
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型号 TPH1R403NL 类型 N沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) 150A 包装 编带 最小包装量 5000 批号 新批次 数量 5000 品牌 TOSHIBA(东芝) 功率(Pd) 64W 导通电阻 1.4mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 2.3V@500uA 工作温度 55~150 封装/规格 DSOP 封装 DSOP-8-EP-5....
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数据表TPH1R403NL 数据表/英文PDF: 390KB Oct,2019 Simulation ModelPSpice ModelZIP: 10KB Jan,2023 Simulation ModelLTspice Model (Note)ZIP: 99KB Jan,2023 Thermal Simulation ModelSimplified CFD ModelZIP: 16KB Nov,2022 Reliability InformationReliability DataPDF: 170KB ...
部件名TPH1R403NL1 下载TPH1R403NL1下载 文件大小496.78 Kbytes 页9 Pages 制造商TOSHIBA [Toshiba Semiconductor] 网页http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng 标志 功能描述MOSFETsSiliconN-channelMOS 类似零件编号 - TPH1R403NL1 制造商部件名数据表功能描述 ...
型号 TPH1R403NL 技术参数 品牌: TOSHIBA东芝 型号: TPH1R403NL 封装: SOP Advance 批号: 21+ 数量: 5000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 4V 最大电源电压: 7.5V 长度: 8mm 宽度: 9.4mm 高度: 2.7mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,...