部件名TP90H050WS 下载TP90H050WS下载 文件大小1138.27 Kbytes 页12 Pages 制造商TRANSPHORM [Transphorm Inc] 网页https://www.transphormusa.com/en/ 标志 功能描述900VCascodeGaNFETinTO-247(sourcetab) 类似零件编号 - TP90H050WS 制造商部件名数据表功能描述 ...
部件名TP90H050WS 下载TP90H050WS下载 文件大小1138.27 Kbytes 页12 Pages 制造商TRANSPHORM [Transphorm Inc] 网页https://www.transphormusa.com/en/ 标志 功能描述900VCascodeGaNFETinTO-247(sourcetab) 类似零件编号 - TP90H050WS 制造商部件名数据表功能描述 ...
Transphorm公司目前已经向市场推出了两款900伏 GaN FET,产品代码分别为TP90H180PS和TP90H050WS。关键规格参数见下表: 两款900V FET均属于常闭型器件,通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅 (Si) 器件,具有显著优势。 TP90H050WS采用行业标准的3引线TO-247封...
摘要:Transphorm公司的TP90H050WS结合了最先进的高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术 Transphorm公司的第二款900 V GaN FET, TP90H050WS,提供典型的导通电阻为50 毫欧,具有1千伏的瞬态峰值额定值。该设备通过JEDEC认证,并可在TO-247热鲁棒封装中使用。使用TP90H050WS的电力系统可以达到99%以上的效率,同时在典型的半...
Transphorm的TP90H050WS是一款高性能GaN(氮化镓)功率半导体器件。它能够提供高效率、高功率密度和高可靠性的性能,适用于各种应用领域,如电源转换器、电动汽车充电器和工业电源系统等。 TP90H050WS具有以下基本参数信息: - 最大漏极电压:900V - 最大漏极电流:50A ...
Transphorm公司目前已经向市场推出了两款900伏GaNFET,产品代码分别为TP90H180PS和TP90H050WS。关键规格参数见下表: 两款900VFET均属于常闭型器件,通过更低的栅极电荷、更快的切换速度和更小的反向恢复电荷,提供更高的效率,明显超越传统硅(Si)器件,具有显著优势。TP90H050WS采用行业标准的3引线TO-247封装,TP90H18...
Direct Linkhttps://www.transphormusa.com/en/ Logo Description900VCascodeGaNFETinTO-247(sourcetab) Similar Part No. - TP90H050WS ManufacturerPart #DatasheetDescription Transphorm IncTP90H180PS 1Mb/13P900V GaN FET in TO-220 More results Similar Description - TP90H050WS...