(単発) 印加条件 VDD = 48 V, Tch = 25 (初期), L = 140 µH, IAS = 50 A 記号 Rth(ch-c) Rth(ch-a) Rth(ch-a) 最大 0.88 50 156 単位 /W 図 5.1 ガラスエポキシ基板 実装例a 図 5.2 ガラスエポキシ基板 実装例b 注意:この製品はMOS構造です.取り扱いの際には静電気にご...