1、本发明的目的在于提供一种topcon电池分步式双面隧穿poly层的制备方法及topcon电池,先采用lpcvd方法沉积隧穿层,再采用pecvd方法沉积非晶硅,不仅能够获取质量更好的隧穿氧化层,而且保持了pecvd方法原位掺杂的工艺路线,有利于获得膜层结构更有效的topcon高效电池。 2、为了实现本发明的上述目的,特采用以下技术方案: 3、...
双面poly结构的topcon电池制备流程:n型硅片清洗制绒、正面b扩散制备pn结、背面酸洗、背面刻蚀去bsg&背面抛光、背面遂穿sio2以及polysi、正面酸洗、正面去poly以及psg&bsg、正面氧化铝、正面&背面钝化膜沉积、正背面电极印刷、烧结、抗lid注入。 目前topcon电池背面关键结构遂穿sio2+polysi目前主要为两种方式:lpcvd和pecvd,...