2.SMD组件可以放置在PCB底部的TOLT MOSFET下方(图10),以优化可用面积; 图10 TOLL & TOLT 散热示意图 3.TOLT增加电流/功率处理能力,相较于 TOLL 封装,TOLT 封装的 RthJA 降低了 20%,RthJC 改善近 50%, Rth(J-heatsink) 降低了36% (图11)。 图11 4.额外优势 除了可以为散热系统实现更高的功率密度或节...
2.SMD组件可以放置在PCB底部的TOLT MOSFET下方(图10),以优化可用面积; 图10 TOLL & TOLT 散热示意图 3.TOLT增加电流/功率处理能力,相较于 TOLL 封装,TOLT 封装的 RthJA 降低了 20%,RthJC 改善近 50%, Rth(J-heatsink) 降低了36% (图11)。 图11 4.额外优势 除了可以为散热系统实现更高的功率密度或节...
典型封装尺寸参数包含总长度、宽度及高度三个维度。总长度范围控制在6.50±0.20毫米,宽度标准值为5.00±0.10毫米,整体高度包含引脚部分不超过1.70毫米。焊盘间距方面,主散热焊盘与信号焊盘中心距保持2.30毫米,相邻信号焊盘间距为1.27毫米,符合JEDEC标准MO-220规范要求。 焊盘尺寸直接影响焊接可靠性,主散热焊盘尺寸通常为3.40...
值得一提的是，Infineone的base理念在这三款package中得到了充分体现。TOLL封装在D2PAK的基础上进行了重大改进，以满足更高的功率密度和更小的封装电阻需求；而TOLG则以TOLL为起点，致力于改善PCB板的热环境；至于TOLT，更是将散热方式由正面改为背面，进一步优化了散热性能。
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新型顶部散热 TOLT 封装,为大功率工业应用在 FR4 PCB 上实现。TOLT 由于缩短了从管芯结到散热片的热路径,因此改善了热阻,从而提高了电气性能。 为了确保最佳热性能,在开发 TOLT 封装过程中,英飞凌设计人员采取了不同的措施。这些措施包括最小化封装高度,引入引脚的负引脚本体高差,并采用无锡散热焊盘。影响 TOLT 产...
TOLT 封装散热路径(顶部散热) 测试分析表明,TOLT凭借顶部散热方式,能够显著降低GaN开关管和散热器之间的热阻,相较于TOLL封装,TOLT封装的Rth(j-heatsink)降低~30%,可将90%以上的热量通过散热器传递。散热路径的缩短,简化了热设计,降低了因散热问题引起的系统成本以及可靠性和功耗问题。 3. 云镓半导体工业类产品发布...
目前,英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列,扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™ 第2代(G2)技术,在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升,专门用于中高档开关模式电源(SMPS),如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用...
TOLT 封装中的 MOSFET 具有与相应 TOLL 部件相同的 RDS(on) 值。例如,采用 TOLT 封装的出色的100V MOSFET(IPTC015N10NM5) 和相应的TOLL(IPT015N10N5),RDS(on),max 均为 1.5 mΩ。 参数比较:TOLL vs. TOLT 与TOLL 相比,在带过孔的普通 2s2p 电路板和 85°C 的环境温度条件下,TOLT 的最大改进之处...
TOLT封装：与TOLL封装不同，TOLT封装在GaN功率器件的下方没有电气连接，且发热量较少。这使得驱动器能够在功率器件的背面进行布线，从而更好地实现驱动走线的磁场相消。在高密电源的应用中，这种设计有助于减少布板面积，进而提升功率密度。三、应用领域 TOLL封装：因其独特的散热设计和广泛的适用性，TOLL封装已广泛...