再設計の労力が少なくてすむため、研究開発コストを削減し、再設計の時間を短縮できます。 システムの熱管理の改善:TjとTcの削減(同じIcで) TO-247PLUSパッケージ裏面のサーマルパッド面積が35%広くなったことにより、パッケージのRthが20%減少し、放熱性が15%上昇しました。TO-247-3パッケ...
リードフレームが大きいので、TO-247PLUSパッケージの熱抵抗が小さくなり、放熱能力が向上します。 スイッチング損失を低減したい設計者に向けて、TO-247PLUSの4ピンパッケージは、ケルビンエミッタソースピンを備えています。これによって、超低インダクタンスのゲート-エミッタ間制御ル...
優れたEMI性能 TO-247PLUSは、TO-247に比べて放熱性が高く、最高レベルの電力密度を実現 ケルビンエミッタ端子により、3ピンよりもスイッチング損失を低減。 お使いのブラウザはインラインフレーム(iframe)をサポートしていません。埋め込まれたページはこちらに表示されます。図...
TO-247PLUSパッケージでの最高電流密度IGBT 最大電流密度が75A、1200VのIGBT、もしくは120A、600VのIGBTが、TO-247PLUSのフットプリントにダイオードと共に封止されており、20%低いRth(jh)、15%高い放熱性、高速クリップアセンブリを実現しています。
TO-247PLUSは、TO-247に比べて放熱性が高く、最高レベルの電力密度を実 ケルビンエミッタ端子により、3ピンよりもスイッチング損失を低減。 アプリケーション 強力かつ高効率な急速 DC EV充電 太陽光発電システム 無停電電源(UPS) Download Data Sheet ...