封装 TO-220 批号 2020+ 数量 224151221 FET类型 单N沟道 漏源电压(Vdss) 200 漏极电流(Id) 18 漏源导通电阻(RDS On) 170 栅源电压(Vgs) 20 栅极电荷(Qg) 19/30 反向恢复时间 4 最大耗散功率 89(@Tc) 配置类型 增强型 工作温度范围 -50°~150° 安装类型 插件 应用领域 家用...
APM4048DU4C-TRL-VB 是一款具有双通道共源结构的功率 MOSFET,包含 N 通道和 P 通道,适合需要同时控制正负电压的应用场合。采用槽沟技术制造,具有优异的导通特性和高电流承载能力,适用于要求高效能和稳定性的电路设计。 ### 详细参数说明 - **型号**: APM4048DU4C-TRL-VB - **封装**: TO252-4L - **...
APM4048DU4C-TRG-VB 是一款双通道 MOSFET,结合了 N 沟道和 P 沟道设计,采用先进的 Trench 技术制造。该器件适用于需要同时控制正负极性电压的应用场合,如电源开关、功率转换器和驱动器。 ### 2. 参数说明 - **型号**: APM4048DU4C-TRG-VB - **封装**: TO252-4L - **结构**: 共源极 N+P 沟道...
APM4052DU4C-TRG-VB 是一款高性能的 MOSFET,采用了Trench 技术。它结合了 N 沟道和 P 沟道 MOSFET,适用于广泛的应用场合,特别是需要高效能和可靠性的电源管理和开关应用。 ### 2. 详细参数说明 - **型号**: APM4052DU4C-TRG-VB - **封装**: TO252-4L - **配置**: 共栅 - N+P 沟道 - **...
1137-4C-F F4000-15-W-F CKD F2S F3S F2H・F2V F2YH・F2YV F3H・F3V F3PH・F3PV (接单生产) F3YH・F3YV 用 途 PLC专用 PLC、继电器用 PLC专用 PLC、继电器用 输出方式 - NPN输出 - NPN输出 PNP输出 NPN输出 CKD单活塞杆型气缸SSD-KL-80-80-TOV3-H-N的详细介绍 ...
Olanzapine(奥氮平)是噻吩并苯二氮卓类的合成衍生物,具有抗精神病、抗恶心和止吐活性。作为一种选择性单胺能拮抗剂,奥氮平以高亲和力结合以下受体:5-羟色胺能、多巴胺能、毒蕈碱 M1-5、组胺 H1 和α-1-肾上腺素能受体;奥氮平与 γ-氨基丁酸 A 型、苯二氮卓和 β-肾上腺素能受体结合较弱。奥氮平也可能刺激食...
封装: TO-252 批号: 2020+ 数量: 9999225 FET类型: 单N沟道 漏源电压(Vdss): 80 漏极电流(Id): 60 漏源导通电阻(RDS On): 8 栅源电压(Vgs): 20 栅极电荷(Qg): 37/59.2 反向恢复时间: 5 最大耗散功率: 2 配置类型: 增强型 工作温度范围: -55℃-175℃ 安装类...
doi:10.1016/j.molstruc.2020.129651M. MangalamC. S. A. SelvanC. SankarJournal of Molecular Structure
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