1. 高可靠性:TO-247封装具有良好的散热性能和机械强度,能够确保MOSFET在恶劣的工作环境下稳定运行。 2. 高效率:MOSFET具有快速开关速度和低导通电阻,能够实现高效的能量转换和降低功耗。 3. 易于安装和使用:TO-247封装形式使得MOSFET易于安装到电路板上,并且引脚排列简单明了,方便使用。 三、TO-247封装MO...
封装 TO-247 批号 23+ 数量 9000 制造商 IXYS 产品种类 IGBT 晶体管 RoHS 是 系列 IXXH75N60 单位重量 6 g 可售卖地 全国 型号 IXXH75N60B3D1 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用...
【2020年9月29日,德国慕尼黑讯】继推出采用EconoDUAL™3和Easy封装的TRENCHSTOP IGBT7技术之后,英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)近日又推出业界领先的、基于分立式封装,即采用电压为650 V的TO-247封装的TRENCHSTOP IGBT7技术。全新TRENCHSTOP产品系列由20 A、30 A、40 A、50 A和75 A这些电流等级...
75652G-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO247封装。它具有100V的漏源电压和150A的漏电流能力,适合于要求高电压和高电流的应用场合。采用了Trench技术,具有低导通电阻和优异的热特性,能够提供稳定可靠的功率开关解决方案。 ### 75652G-VB MOSFET 详细参数说明 - **封装类型**:TO247 - **极性配置**:单N沟道...
7mΩ,采用TO247和TO247-4封装 CoolSiC™ MOSFET 650V G2,7mΩ,采用TO-247和TO-247-4 4引脚封装,以第1代技术的优势为基础,加快了系统设计的成本优化,实现高效、紧凑和可靠解决方案。CoolSiC™ MOSFET第2代在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的系统设计。交流-直流、直...
WSL220N08 微硕 中压场效应管 封装TO-247 全新原装正品 WSL220N08 3000 微硕 -- ￥6.0000元1~-- 个 深圳市卓联微科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 APT25GT120BRDQ2G 场效应管 APT 封装TO-247 批次21+ APT25GT120BRDQ2G ...
1700V SiCMOSFET国产首款针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on) ASC100N、40N、5N、1N 1700V碳化硅MOS.pdf 6.2M· 百度网盘 广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计,可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计,降低...
IKW40N120CH7采用TO-247 封装,带有反并联二极管的 3引脚1200 V、40 A IGBT 采用TO-247 封装,3引脚的硬开关1200V、40 ATRENCHSTOP™ IGBT7H7分立式器件,旨在满足低碳的应用需求,例如太阳能光伏、不间断电源和电池充电等。 特征描述 英飞凌知名的TRENCHSTOP™技术造就出色的饱和压降(VCEsat)性能 ...
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**7N95K3-VB** 是一款由 VBsemi 提供的单通道 N 型 MOSFET,采用 TO247 封装。它具有高击穿电压和低导通电阻特性,适合于需要处理高电压和高功率的电子应用。 ### 详细参数说明 - **封装类型**: TO247 - **配置**: 单通道 N 型 - **击穿电压 (VDS)**: 900V ...