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相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以 TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大…
CoolSiC™ MOSFET 1700 V、650 mΩ 采用 TO247-3-HCC 封装,适用于各种功率转换应用中与直流母线电压 600 V 至 1000 V 相连的单端反激式辅助电源。其主要特点包括:可由反激式控制器直接驱动,无需栅极驱动器 IC;采用 .XT 互连技术,具有出色的散热性能;采用高爬电距离封装,提高了可靠性。
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。点击播放按钮,开课咯!
封装: TO-247-3 批号: 21+ 数量: 450 制造商: Cree, Inc. 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247-3 晶体管极性: N-Channel 通道数量: 1 Channel Vds-漏源极击穿电压: 1.7 kV Id-连续漏极电流: 72 A Rds On-漏源导通电阻: 45 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: ...
封装 TO-247-3 批号 22+ 数量 59790 制造商 STMicroelectronics 产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-247-3 晶体管极性 PNP 配置 Single 集电极—基极电压 VCBO 100 V 集电极—射极饱和电压 1 V 最大直流电集电极电流 15 A Pd-功...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 晶体管 、 其他晶体管 商品关键词 C3M0065090D、 CREE科锐、 TO-247-3 商品图片 商品参数 品牌: CREE科锐 封装: TO-247-3 批号: 23+ 数量: 6000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 3.5V ...
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。点击播放按钮,开课咯!
封装: TO-247-3 批号: 24+ 数量: 8300 制造商: STMicroelectronics 产品种类: 整流器 RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-247 Vr - 反向电压: 200 V If - 正向电流: 30 A (2 x 15 A) 配置: Dual Common Cathode Vf - 正向电压: 1.18 V 最大浪涌电流: 180 A...