封装 TO-252-2L 批号 20+ 数量 120000 RoHS 是 产品种类 电子元器件 最小工作温度 -10C 最大工作温度 100C 最小电源电压 3.5V 最大电源电压 6V 长度 4.4mm 宽度 7.5mm 高度 2.6mm 可售卖地 全国 型号 MT81P03 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况
矽源特ChipSourceTek-PE30P60KT,一款卓越的P沟道增强模式电源Mosfet,犹如电子领域的优雅舞者,以其VDS=-30V、ID=-60A的矫健身姿,以及RDS(ON)<10mΩ@VGS=-10V、RDS(ON)<15mΩ@VGS=-4.5V的轻盈步伐,在电路舞台上翩翩起舞。其TO-252-2L封装,恰似精致的礼服,为这位电子舞者增添了几分高贵与典雅。 矽源特Chip...
TO-252-2L(4R) 封装的整流管体积小,便于安装和布局,同时散热性能也比较好,能够有效地降低工作温度,提高整个系统的可靠性。 总的来说,肖特基整流管 MBRD20100CT TO-252-2L(4R) 是一种性能稳定、可靠性高的整流管,适用于各种要求严格的电源和开关电源设备中,能够有效提高设备的性能和稳定性。在未来的电子领域...
通过改变栅源电压VGS,我们可以控制矽源特ChipSourceTek-PE01P15K的导通和关断,从而实现对负载电源的控制。 图1:矽源特ChipSourceTek-PE01P15K开关测试电路图 在测试过程中,我们记录了矽源特ChipSourceTek-PE01P15K的开关波形,如图2所示。从波形中可以看出,矽源特ChipSourceTek-PE01P15K的开关速度非常快,导通和关断...
≈18盘多 2,500pcs/盘 10pcs 起购 购买数量 pcs 整包数 盘 合计 ¥18.74 详细参数 商品编码08CD024598 原厂编码MBRD20100CT 品牌长电/长晶(JCET) 毛重0.4 封装规格TO-252-2L(4R) 耐压(VR)100V 电流(IF)20A 压降(VF)1.2V 额定功率1.25W
2,500pcs/盘 10pcs 起购 购买数量 pcs 整包数 盘 联系客服 合计 ¥19.34 详细参数 商品编码08CD024597 原厂编码MBRD10200CT 品牌长电/长晶(JCET) 毛重0.4 封装规格TO-252-2L(4R) 耐压(VR)200V 电流(IF)10A 压降(VF)1.1V 额定功率1.25W
封装(Package)是指将电子元件的芯片与外部电路连接起来的方式,以便于在电路板上安装和使用。DPak和TO252是两种不同的封装类型,它们在形状、尺寸、散热性能、电气特性等方面有所区别。以下是对这两种封装的比较: DPak封装 DPak封装,也称为D-PAK或D2PAK,是一种表面贴装
森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B,VRRM为650V,IF(TC=154℃)为6A,QC为13.4nC,具有不受温度影响的开关特性,高效率。产品采用TO-252-2L封装,适用于开关电
TO252-2L -55~+175 是 工业电源、升压转换器、功率切换、UPS PAP3050 引脚配置 Pin Configurations 产品特性 Product characteristics 100% UIS Tested Excellent Gate charge×RDS(on) (FOM) Very low on-resistance RDS(on) P-channel, optimized for high speed smooth switching 应用范围 ...
深圳市科瑞芯电子有限公司供应SGTP5T60SD1D/F/S-封装TO-252-2L 5A600V IGBT芯片,SGTP5T60SD1D/F/S 电子元器件 Silan/士兰微 封装TO-252-2L 5A600V绝缘栅双极型晶体管SGTP5T60SD1D/F/S 绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第三代场截止(