相较于硅基IGBT，碳化硅MOSFET有着更快的开关速度，因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中，基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例，为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。点击播放按钮，开课咯！
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。点击播放按钮,开课咯!
一、 TO-247-3与TO-247-4两种封装类型介绍 传统的TO-247-3封装的MOSFET类型如上图1所示,其管脚由栅极、漏极和源极构成。从应用角度来看,驱动回路和功率回路共用了源极的管脚。MOSFET是一个电压型控制的开关器件,其开通关断行为由施加在栅极和源极之间的电压(通常称之为VGS)来决定。 从上图1模型来看,有几个...
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以 TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大…
图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型如图2所示，我们发现这种封装的管脚数及其管脚定义发生了很大的变化。相对于TO-247-3，这种封装多了一个S极管脚，我们将它称为辅助源极或者开尔文管脚KS(Kelvin Source)。同时，这种封装形式将驱动回路和主功率回路解耦开，有利于驱动...
为了应对这一问题，TO-247-4L封装采用了独特设计，使得栅极驱动的信号源端子能够进行Kelvin连接，进而显著降低封装内源极线的电感。这一改进不仅提升了整个系统的运行效率，还为器件在低温环境下工作提供了有力保障。为了更直观地展示这一差异，图3和图4分别提供了TO-247-3L与TO-247-4L封装的对比图，以及相应的...
相较于硅基IGBT,碳化硅MOSFET有着更快的开关速度,因此需要一种更适合发挥碳化硅MOSFET性能的封装形式。今天的“SiC科普小课堂”中,基本半导体市场部总监魏炜老师将以TO-247-3和TO-247-4两种封装形式为例,为大家讲解不同封装的碳化硅MOSFET在开关过程中的性能表现。点击播放按钮,开课咯!
英飞凌提供 TO-247 4 引脚 与600 V 和 650 V CoolMOS™ C7超结 (SJ)MOSFET相结合。通过600 V CoolMOS™ P6超结 MOSFET,英飞凌推出了标准 TO-247 4 引脚封装的改进版本。TO-247 4 引脚带有非对称引线,可以增加关键引线之间爬电距离,使得波峰焊接更加顺畅,并降低电路板的产量损失。
二、TO-247-4L封装外形 随着MOSFET开关速度的加快,封装中的源级焊线产生的寄生电感,对开关速度产生不利的影响愈发严重,TO-247-4L封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行Kelvin连接,从而减小封装中源极线的电感。进一步提高整个系统的效率,使器件能够在较低的温度下工作。图3为TO-247-3L与TO-247-4L封装对比图,...
相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品,基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET具有耐压高、导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗、减小产品尺寸,从而提升系统效率。而在实际应用中,我们发现:带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器...