20mR,TO-252、SOP-8、DFN3*3、TO-220封装,低内阻,结电容小 型号HC012N06L N沟道场效应管 60V50A50N06 内阻9mR,TO-252、SOP-8、DFN3*3 DCDC方案 2020-11-12 11:24:12 Xilinx下载器 下载方案:HS2 二代高速下载方案,下载速度:最大 30Mhz通信方式:USB,下载接口:JTAG 14P 标准接口,支持开发环境:IS...
此文件名称为封装-TO-220-7_Min_SANYO-7H_rev1.0,属于机械设备,非标机械分类,软件为STEP,可供设计参考
此文件名称为封装-TO-220-5L_Min_LStraight_rev1.0,属于机械设备,非标机械分类,软件为STEP,可供设计参考
常用TO直插元件PCB封装库(AD库,封装带3D视图),包含TO126,TO202,TO220系列,TO247,TO252,TO263,TO92等。基本包含了所有TO直插封装,是Altium Designer的PCB封装库,.PcbLib格式的,带3D视图,非常实用,文件8M TO直插元件PCB封装库2020-12-12 上传大小:7.00MB ...
采用TO220 封装的NextPower 100V,18 mΩN沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF 采用TO220 封装的NextPower 100 V、18 mΩ N 沟道 MOSFET-PSMN018-100PSF 资料下载 kingnet_520888 2023-02-23 18:45:23 采用TO220 封装的NextPower 100V,8.7 mΩN沟道 MOSFET-PSMN8R5-100PSF 采用TO220 封装的NextPower 100 ...
型号 3DD13007K-220 技术参数 品牌: 吉林华微 型号: 3DD13007K-220 封装: TO-220 批号: 23+ 数量: 50 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 80C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 9V 长度: 7.7mm 宽度: 5.3mm 高度: 2.9mm 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价...
12N20-VB是一款采用TO220封装的高效能N-Channel沟道MOS管,适用于各种电源管理和开关应用。其特点包括高耐压能力、低导通电阻、良好的温度稳定性以及符合RoHS指令的要求。主要技术参数包括绝对最大额定值(如VD=200V, VG=±20V, ID=10A等),特性参数(如VDSS=200V, VGS(th)=2V至4V, IGSS=±100nA等),动态特性...
12N50U-VB是一款高性能的N-Channel沟道TO220F封装MOSFET,具有以下关键特性和应用领域: 1. 封装:TO220F,一种常见的物理封装形式,提供良好的散热性能。 2. 工作类型:N通道,适用于正向偏置下的电流流动。 3. 最大漏源电压(VDS):650V,确保在高电压环境下正常工作。 4. 栅极至源极电压范围(VGS):±30V,适应...
型号: C3D16065A 封装: TO220 批号: 21+ 数量: 5000 制造商: Cree, Inc. 产品种类: 肖特基二极管与整流器 RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-2 If - 正向电流: 16 A Vrrm - 重复反向电压: 650 V Vf - 正向电压: 1.5 V Ifsm - 正向浪涌电流: 162 A 配置: Single Ir - ...
近期,基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热,可简化生产步骤,提高生产质量和整机的长期可靠性,有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致,但其背面散热器不再是二极管的阴极,属于悬浮电位。 图1. TO-220内绝缘的结构...