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FET类型 : MOSFET N 通道,金属氧化物 FET功能 : 逻辑电平门 漏源极电压(Vdss) : 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) : 890mA(Tj) 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) : 1 欧姆 @ 1.5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) : 1.6V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) : - 不同Vds时的输入电容(Ciss)...
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