产品概述:TMR2102采用了一个 的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。 TMR2102 ,采用两种封装形式:SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)和DFN8(3mm × 3mm × 0.75mm)。 产品特性:(1)隧...
TMR2102 采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度 TMR 传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102 性能优越,采用两种封装形式:DFN8L (3mm × 3mm × 0.75mm) 和 SOP8。
传感器类型: TMR2102 传感轴: Z 加速度范围: 单极 精度: 0.6 输出类型: TMR2102 系列: 4 电源电压: 5.5V 特性: 4 工作温度: 1℃ 封装/外壳: SOT23-3TO92S 安装类型: 连续供电 最小包装数: A 应用领域: 测量仪器 数量: 10000 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格...
TMR2101、2102是一款集成了隧道磁阻（TMR）技术和CMOS技术的磁开关传感器。具有高精度、高速、低功耗、高灵敏度等特性，适用于工业类电子、消费类电子等磁场开关检测。芯片内部电路包含电压发生器、比较器、数字逻辑控制模块、阈值修调模块和CMOS输出电路。TMR2101具有宽⼯作电压范围和宽⼯作温度范围。该系列芯片可以...
TMR2102Large Dynamic Range TMR Linear Sensor Part No.: TMR2102 Bridge Configuration: Full bridge Supply Voltage(V): 0 to 7 Sensitivity (mV/V/Gs): 4.9 Resistance (kΩ): 90 / 45 Linear Range (Gs): ±30 Sensing Direction: X-axis ...
TMR2102UA 由Hallwee(霍尔微电子) 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 TMR2102UA 价格参考￥ 1.8576 。 Hallwee(霍尔微电子) TMR2102UA 封装/规格: TO-92S, 工作电流:160NA/3.4UA 工作点BOP:±18 释放点BRP:±12 回差:6。你可以下载 TMR2102UA 中文资料、引脚图、Datasheet数据手...
下载TMR2102下载 文件大小543.1 Kbytes 页5 Pages 制造商AEC [American Electronic Components, inc] 网页http://www.aecsensors.com/html/ 标志 功能描述LargeDynamicRangeTMRlinearsensor 类似零件编号 - TMR2102 制造商部件名数据表功能描述 MultiDimension Technolo...TMR2102 ...
TMR2102 电子元器件 中文资料+参数 23+ 价格 ¥ 1.00 ¥ 0.50 ¥ 0.30 起订数 100个起批 500个起批 1000个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 电源管理IC 商品关键词 8位MCU单片机、 集成电路、 处理器、 微控制器、 芯片数模转换器 ...
TMR2102SO由Hallwee(霍尔微电子)设计生产,立创商城现货销售。TMR2102SO价格参考￥1.75。Hallwee(霍尔微电子) TMR2102SO参数名称:工作电压:1.8V~5.5V;工作点(Gs):18Gs;释放点(Gs):-12Gs;工作温度:-40℃~+125℃。下载TMR2102SO中文资料、引脚图、Datasheet数据手册,
多维科技的大动态范围TMR线性传感器TMR2102采用了一个独特的推挽式惠斯通全桥结构设计,包含四个非屏蔽高灵敏度TMR传感器元件。当外加磁场沿平行于传感器敏感方向变化时,惠斯通全桥提供差分电压输出,并且该输出具有良好的温度稳定性。TMR2102性能优越,采用两种封装形式:SOP8(6mm × 5mm × 1.5mm)和DFN8(3mm × 3mm ...