检测了材料的真空紫外激发光谱和发射光谱。 YVO4∶ xTm 的真空紫外激发光谱在120~350 nm 范围内为连续的带状峰,在155 nm 和333 nm 附近有明显的峰值。在155 nm 激发下,YVO4∶ xTm 的发射光谱由两部分组成,其中主发射峰在474 nm 附近呈一尖锐的线状,来自 Tm3+的1 G4→3 H6跃迁;在650 nm 左右有一弱...
Tm3+激活无水芒硝在真空紫外光激发下的发光性质
光谱,在此基础上研究了 980,808 nm激光共激发下ZBLAN:Yb3+ ,Tm3+ 的上转换发光特性.在测量过程中,分别改变输入激光功率,测量了上转换发光强度与泵浦激光输入功率的关系,由此绘制双对数曲线图,对上转换发光机制进行了分析.研究证明980 nm激发为三光子过程、808 nm激发为双光子过程,而980,808nm激光共同激发为共协...
荧光粉LaGaO3:Tm^3+Sn^4+通过高温固相反应制备Sn4+掺杂LaGaO3:Tm3+荧光粉,分别采用XRD和光致发光光谱对其物相和发光性能进行表征.结果表明:Sn4+和Tm3+均作为掺杂离子进入到LaGaO3的晶格中.样品的激发光谱均有263nm,291nm和360nm锐利激发峰组成,其主峰为360nm.在360 nm激发下,样品均在450～470nm间出现Tm3+...
摘要:通过高温固相反应合成YVO4∶xTm(x=0001(0003)0005(0007)001(003)005)蓝色系列粉末状发光材料。经X射线衍射分析产物为单相,属四方锆英石结构,其结果与JCPDS标准卡(72鄄0861)相符。检测了材料的真空紫外激发光谱和发射光谱。YVO4∶xTm的真空紫外激发光谱在120~350nm范围内为连续的 ...
实验结果显示，Tm-NPs在800nm激发下产生从1600到2100nm的多波段发射光谱，适合NIR-II成像。然而，环己烷作为溶剂导致1680-1900nm附近发光严重猝灭。对于Tm3+浓度介导的发射，观察到浓度猝灭现象，但通过外延生长LiYF4壳层，发现DSL强度稳定增加。分析显示，电子填充过程和交叉弛豫过程影响着Tm3+的浓度依赖性...
摘要: 根据Tm掺杂的氟氧化物玻璃陶瓷的吸收光谱 ,用Judd Ofelt理论计算了强度参量 ,并由此计算了激发能级的自发辐射跃迁几率、辐射寿命、荧光分支比和积分发射截面等光谱参量。关键词: 氟氧化物玻璃陶瓷;Tm3+;吸收光谱;光谱参量;激光材料 DOI: 10.3321/j.issn:1000-0593.2001.02.004 被引量: 41 ...
收光谱的震荡9影了响吸收光谱在 980nm 附近的精确测试0 因本材料在 980nm 处具有很好的吸收特性9因此用 980 nm 光激发各样品9分别测试了三种掺杂体系在 300 700 nm 之间的上转换发光0当用肉眼观察这种掺杂体系的发光 时9能看见样品发出很强的白光0在上转换发光领域中9用 单波长的光去激发一种材料而产生白光...
采用共沉淀法制备了Tm3+单掺杂及Tm3+,Dy3+共掺杂的YP1-xVxO4 荧光粉材料.给出了样品的XRD谱,获得了样品的SEM照片,对其发射和激发光谱也进行了测量.结果发现,随着钒酸根含量的增加,样品的激发带发生红移,这样的激发带能够满足白光LED用荧光粉的激发要求.在Tm3+,Dy3+ 共掺杂的样品中观测到了全... 查看全部...
结果表明:Bi3+和Tm3+分别作为敏化剂和激活剂进入到Y2GeO5的晶格中,其最佳掺杂量(摩尔分数)分别为1.5%和2%;Y2GeO5:Bi3+,Tm3+荧光粉的D50约为7.11 μm.激发光谱由314 nm宽峰和355 nm锐利峰组成,前者是由于Bi3+离子和基质激发峰复合而成;在314 nm激发下,荧光粉发射365 nm宽峰和455 nm锐利峰;掺杂Bi3+...