图5(a)中绘制了一条具有snapback特性的曲线。常用的ESD防护器件除了二极管外,一般都有回滞特性。图中标示出了三个用来表征ESD防护器件性能的关键参数:开启电压(也称触发电压(Vt1)、维持电压(Vh)、二次击穿电流(It2)。此外还标示出了被保护电路的工作电压(VDD)和击穿电压(BVox)。 作为ESD防护器件,最关键的一点...
Snapback(驟迴)保護結構 Snapback保護裝置會形成一個低阻抗通道用來排出ESD瞬間放電的能量。 設備極限 樣品量測IV Curve最大電壓200 V,TLP裝置Pulse最大電壓為2500V,電流50A。 聯絡窗口| 雷先生/Rex | 電話:+886-3-5799909#6760 | email:web_EFA@istgroup.com ...
Snapback(骤回)保护结构 Snapback保护装置会形成一个低阻抗通道用来排出ESD瞬间放电的能量。 设备极限 样品量测IV Curve最大电压200 V,TLP装置Pulse最大电压为2500 V,电流50A。 联络窗口| email:marketing_chn@istgroup.com 您可能有兴趣的其他服务 芯片去层(Delayer) ...
同样由于使用了方波，还可以发现器件在ESD过程中的响应情况，包括开启过程、关断过程；由于一般器件开启时都有snapback问题，而这种问题对于超深亚微米器件是致命的，因此这种测试技术对用于解决CDM模型的ESD防护结构研究至关重要；同时，近期利用MOS特性设计的超快超低压开启CLAMP结构越来越重要，这种结构完全...
同样由于使用了方波，还可以发现器件在ESD过程中的回响情况，包括开启过程、关断过程；由于一般器件开启时都有snapback问题，而这种问题对于超深亚微米器件是致命的，因此这种测试技术对用于解决CDM模型的ESD防护结构研究至关重要；同时，近期利用MOS特性设计的超快超低压开启CLAMP结构越来越重要，这种结构完全...
The simulation, as well as measurement, demonstrated that the rising edge of TLP pulse affects snapback trigger voltage Vt1 not only in gate coupled NMOS but also grounded gate NMOS devices. It implies that the base transit time and the junction capacitance of parasitic BJT have impact on ...
TVS breakdown、snapback和holding電壓/電流,可以顯示TVS 何時在ON和OFF狀態之間準確切換,這些通常使用電流在mA範圍內的直流電源進行測試,並且可以在大多數二極管數據表中找到。然而,TVS二極管旨在防止瞬態威脅,其脈衝持續時間在ns到µs範圍內。TLP測試指定100ns 脈衝寬度。從時序的角度來看,該脈衝寬度更接近於真實世界...
[5] YiqunCao , Ulrich Glaser , Stephan Freiand, et al.. A Failure Levels Study of Non-Snapback ESD Devices for Automotive Applications. [6] Y. Xi, S. Malobabic, V. Vashchenko, et al. Correlation Between TLP, HMM, and System-Level ESD Pulses for Cu Metallization. ...
4、专用显示软件可对入射波/反射波的合计值,snapback特性以及漏电流测试的电流值进行图形描绘 5、被保存的示波器上的数据可以进行高自由度的演算处理,可以通过曲线的重叠描绘来确认其差异,并且可以与半自动探针台连接,实现TLP测试的自动化 6、可以在Wafer level上进行印加管脚间或芯片间的自动移位,所以能够很大地提升测...