这样在用户看来写了 1GB, 实际等效写入了 4GB (1GB 会以 SLC 模式写在原来 3GB 的 TLC 区域上, 然后转写到另外 1GB 的 TLC 区域), 写入放大高达 4 倍. 但是如果只用 OP 预留区域里面的 pSLC 空间写入, 虽然一个 cell 的容量只有 TLC 模式的 1/3, 但是寿命是 TLC Cell 的 30 倍多. 比如3GB的 TL...
目前的固态硬盘，这个擦写次数是有限的，SLC颗粒大约可以擦写1万次以上，而MLC大约为3000-10000次，TLC大...
扩展资料TLC颗粒的固态硬盘,它的擦写次数大约为1000P/E，如果我们每天给影驰ONE120GSSD写入10GB的数据，那么SSD的寿命= 120GB*1000/10/365=33年 通常来说，在固态硬盘彻底坏掉之前，依然有机会进入到保护模式，以写保护的状态保全存储在盘内的数据完整,从而让用户有机会进行最后的备份。东芝TR200的SMART信息 ，ID1...
根据我们普通消费者的使用习惯，一年写入量基本在10TB以下。所以并不用担心TLC擦写次数不够用的问题。
网上介绍固态硬盘的时候,这样讲道——据NAND Flash的类型不同,擦除寿命P/E也不相同,目前存在的NAND Flash分为SLC、MLC、TLC三种类型。三种类型的闪存P/E分别为SLC 5000～10000次,MLC 1000～3000次,TLC 500～1000次。什么?500次,那么低的擦写次数,岂不是几天就用完了? 看着很多人担心,老张也认真查阅了资料,结...
500至1000次。3D-TLC分为32层3D-TLC、64层3D-TLC和最新的92层3D-TLC，价格便宜，可擦写次数为500-1000次。TLC颗粒的每个存储单元要储存3bit的数据，随着TLC技术的成熟与发展，单纯从擦写寿命来看，3D-TLC已经能够与MLC相当。
全称是Quad-Level Cell,四层式存储单元,QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度,同时成本上相比TLC更低,优势就是可以将容量做的更大,成本上更低,劣势就是P/E寿命更短,理论擦写次数仅150次。 对普通人用户来说,SLC颗粒就像劳斯莱斯幻影,好是好,但是太贵,所以,极少有人买;MLC颗粒就像宝马7系,车还算可以,但还是贵...
虽然这是一款采用TLC闪存的固态硬盘,但是它标称的P/E(编程/擦写循环)达到了3000次,远高于普通TLC,可靠性、稳定性、耐用性都基本达到了2D MLC闪存的标准,而且还支持LDPC错误校验,以及威刚独家的A+SLC技术,利用定制固件、A+分类算法来模拟SLC闪存的性能,并进一步确保数据完整性,平均故障间隔时间200万小时。
明白擦写次数后,TL..TLC与MLC之争弄大家人心惶惶的,其实初略了解下,就完全不必担心了:擦写寿命指的是你的内存满了一次,清空一次,就算一次。可以500次,所以一般16G的不会用TLC。64和128才用,,就是说存储。你