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TK39N60W,S1VF(S 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 额定功率 270 W 耗散功率 270 W 漏源极电压(Vds) 600 V 输入电容(Ciss) 4100pF @300V(Vds) 工作温度(Max) 150 ℃ 耗散功率(Max) 270 W 封装参数 安装方式 Through Hole
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商品型号 TK39N60W,S1VF(S 商品编号 C2929218 商品封装 TO-247-3 包装方式 管装 商品毛重 0.963克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 600V 连续漏极电流(Id) 38.8A 属性参数值 耗散功率(Pd) 270W 阈值电压(Vgs(th)) 3.7V ...
TK39N60WS1VF S 电子元器件 Toshiba 封装BGA 批次两年内 TK39N60W,S1VF(S 1950 Toshiba BGA 两年内 ￥1.0000元10~499 个 ￥0.9500元500~999 个 ￥0.8800元>=1000 个 深圳市亿芯能科技有限公司 3年 -- 立即询价 查看电话 QQ联系 TK39N60W5 S1VF 丝印K39N60W5 封装TO247 电源开关MOS管 ...
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制造商型号: TK39N60W,S1VF 制造商: Toshiba (东芝) 产品类别: 晶体管-FET,MOSFET-单个 商品描述: MOSFET N CH 600V 38.8A TO247 供货: 货期 工作日(7-10天) 渠道: 国内现货 digikey 服务: 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 客服: 立即咨询 询价 提示: 联系在线客服,获得更多TK39N60W,S1VF价格库...
TK39N60W,S1VF 30 Yes技術的なお問い合わせ お問い合わせ お問い合わせ よくあるお問い合わせ FAQ 関連リンク 品質・信頼性情報(品質ガイドライン、信頼性ハンドブック 等) 品番付与法 (MOSFET) 品番付与法 (バイポーラートランジスター)ご...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 电源管理芯片 商品关键词 TK39N60W5,S1VF(S、 TOSHIBA、 TO247 商品图片 商品参数 品牌: TOSHIBA 封装: TO247 批号: 22+ 数量: 25 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -10C 最大工作温度: 125C 最小电源电压:...