型号 TK22A10N1,S4X(S 技术参数 品牌: Toshiba东芝 型号: TK22A10N1,S4X(S 封装: TO-220F 批号: 21+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 125C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 6.5V 长度: 2.8mm 宽度: 2.4mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商...
TK22A10N1,S4X(S 全球供应商 全球供应商 (4家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -73立即发货1RMB ¥税4.9404.9404.9404.9404.940购买 英国 70 立即发货 - RMB ¥ ...
发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 专用IC 商品关键词 TK22A10N1,S4X(S、 Toshiba东芝、 TO-220F 商品图片 商品参数 品牌: Toshiba东芝 封装: TO-220F 批号: 21+ 数量: 30000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源...
唯样商城为您提供Toshiba设计生产的TK22A10N1,S4X(S 元器件,主要参数为:,TK22A10N1,S4X(S库存充足,购买享优惠!
TK22A10N1,S4X由TOSHIBA(东芝)设计生产,立创商城现货销售。TK22A10N1,S4X价格参考¥3.1。TOSHIBA(东芝) TK22A10N1,S4X参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):100V;导通电阻(RDS(on)):13.8mΩ@10V,11A;耗散功率(Pd):30W;阈值电压(Vgs(th)):4V;栅极电荷量(Qg):2
TK22A10N1,S4X(S产品技术参数 安装类型通孔 长度10mm 尺寸10 x 4.5 x 15mm 典型关断延迟时间38 ns 典型接通延迟时间27 ns 典型输入电容值@Vds1800 pF @ 50 V 典型栅极电荷@Vgs28 nC @ 10 V 封装类型TO-220SIS 高度15mm 晶体管材料Si 晶体管配置单 ...
TK22A10N1,S4X(S产品技术参数 安装类型通孔 长度10mm 尺寸10 x 4.5 x 15mm 典型关断延迟时间38 ns 典型接通延迟时间27 ns 典型输入电容值@Vds1800 pF @ 300 V 典型栅极电荷@Vgs28 nC @ 10 V 封装类型TO-220SIS 高度15mm 晶体管材料Si 晶体管配置单 ...
TK22A10N1,S4X,东芝半导体(Toshiba)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:TK22A10N1,S4X 原始制造厂商:东芝半导体(Toshiba) 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 22A TO220SIS 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 点击此处查询TK22A10N1,S4X的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
唯样商城为您提供Toshiba设计生产的TK22A10N1,S4X 元器件,主要参数为:N-Channel 30W(Tc) TO-220SIS 150°C(TJ) 100 V 22A(Tc),TK22A10N1,S4X库存充足,购买享优惠!
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