TK100E10N1,S1X MOSFET N-CH 100V 100A TO220 深圳市科诺芯电子有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥4.50 全新原装进口TK100E10N1K100E10N1 TO-220 场效应管 深圳市兴瑞业科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ...
TOSHIBA TK100E10N1 MOSFET High Speed, Low-Voltage N-CH MOSFET 100V TK100E10N1 14560 TOSHIBA TO-220 21+ ￥0.1100元>=1 个 深圳市明鑫实业电子有限公司 4年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 TK100E10N1 电子元器件· TOS · 封装TO220 批次22+ TK100E10N1 ...
产品种类 MOSFET 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-220-3 晶体管极性 N-Channel 通道数量 1 Channel Vds-漏源极击穿电压 100 V 配置 Single 高度 15.1 mm 长度 10.16 mm 系列 TK100E10N1 晶体管类型 1 N-Channel 宽度 4.45 mm 单位重量 2 g 可售卖地 全国 型号 TK100E10N1 ...
商品目录通用MOSFET FET类型N-Channel Pd-功率耗散(Max)255W(Tc) RdsOn(Max)@Id,Vgs3.4 毫欧 @ 50A,10V Vgs(th)4V @ 1mA Vgs(最大值)±20V 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)8800 pF @ 50 V 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)140 nC @ 10 V ...
通用MOSFET TO-220 图像仅供参考 请参阅产品规格图片丝印不一定为本产品 对比 推荐 制造商编号 TK100E10N1,S1X 制造商 Toshiba(东芝) 唯样编号 C-TK100E10N1,S1X 供货 海外代购M 代购 无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs 描述 MOSFET N-CH 100V 100A TO220 分享: 数据手册 发送到邮箱 PDF资料下载...
N 通道 MOSFET,TKxxxx,Toshiba ### MOSFET 晶体管,Toshiba查看详情 TO-220 14周 2012年 ¥4.248 数据手册(6) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 反馈错误 by FindIC.com 价格库存 规格参数 数据手册 TK100E10N1,S1X(S 全球供应商 全球供应商
MOS管(MOSFET场效应管) 可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,源极上加有足够的正电压(栅极接地)时,栅极下的N型硅表面呈现P型反型层,成为连接源极和漏极的沟道。改变栅压可以改变沟道中的空穴密度,从而改变沟道的电阻。这种MO...
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 207 A, 0.0028 ohm, TO-220, 通孔 图片仅用于图解说明,详见产品说明。 制造商TOSHIBA 制造商产品编号TK100E10N1,S1X(S 库存编号4172988 也称为TK100E10N1, TK100E10N1,S1X 技术数据表 Data Sheet UltraLibrarian ...
商品型号 TK100E10N1,S1X(S 商品编号 C396029 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 2.68克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)100A 属性参数值 导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V,50A ...
商品型号 TK100E10N1,S1X 商品编号 C5986394 商品封装 TO-220 包装方式 管装 商品毛重 1克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)100A 导通电阻(RDS(on))3.4mΩ@10V,50A ...