XPS谱图显示,掺杂的Co离子以Co3+和Co2+两种化学态存在(图2e)。掺杂后Ti3+峰相逐渐增强,而且Ti-O键结合能发生轻微负偏移,这是由于TiO2晶体氧空位的形成(图2f)。O 1s谱显示了随Co离子掺杂量增加而增强的氧空位特征峰(图2g)。氧空位的形成增加了载流子的密度(电子供体)以提升CoxTi1-xOy的电导率,降低带隙能量...
二氧化钛MOCVD生长半导体薄膜技术二氧化钛用MOCVD方法生长于硅衬底上,膜厚在0.1～1μm之间.本文考察了温度对生长速率的影响,其中生长速率与衬底温度和有机源的温度都成指数关系,并通过作图求出钛源的活化能Ea=1.05eV.TEM测试结果表明,生成的二氧化钛是多晶膜,为锐钛矿结构.将样品作XPS分析,测试出Ti3+随氧气流量的...
XPS结果表明,W掺杂产生了高浓度的缺陷(Ti3+和Ov),诱导了低价态Ir,强的界面电子流增强了W-TiO2@IrO2的SMSI。电化学OER活性和稳定性结果表明,在本实验设计范围内,W-TiO2@IrO2在综合调节TiO2电导率和IrOx的活性和稳定性方面表现最佳,这主要源于W掺杂获得的合适能带结构、优化的载体固有电导率以及金属氧化物与载体之...
制备好的tio2(B)/石墨烯纳米复合材料的XPS测量谱如图3(A)所示,可以观察到Ti、C和O元素的特征峰。图3(B)显示了Ti2p谱的两对双峰。464.6eV和458.9eV处的峰源于TiO2晶格中的TiO, 463.2eV和458.2eV处的峰可归因于Ti3þ的生成,...
c）图展示了硬碳、NaTi2(PO4)3和c-a'-RS-NaTiO2在0.1 A g–1比电流下的GCD曲线，进一步对比了它们的充放电性能。在探讨TiO2(A)的储钠机制时，我们发现了一个有趣的现象：尽管二氧化钛（TiO2）对Ti4+/Ti3+氧化还原对的充分利用使其在容量和电位方面表现出色，但锐钛矿晶二氧化钛（TiO2(A)）的储钠机...
kongkiat suriye等认为,由tio2表面ti3 +引起的氧空位(或缺陷) 在光 10、催化反应中既能吸附氧,又能捕获光生电子,使得电子-空穴对有效分离,从而提高催化剂光催化活性9。当镍掺杂量较小时,半导体中没有足够的ni2 + 载流子捕获陷阱,效果不明显,当掺镍量增大时,半导体中捕获位间的距离将会降低,ni2 + 反而成为...
这种较小的带隙可归因于由增加的Ti3+态、氧空位、羟基和不同能级的其他缺陷引起的跃迁。由于Pt的负载小或尺寸有限,Pt 原子的进一步沉积不会引起def-TiO2吸收的任何明显变化。XPS表明(图2f)TiO2中仅观察到两个以 464.3 和 458.6 eV 为中心的Ti 2p峰。电化学还原后,另外两个峰出现在 Ti(IV) 2p峰旁边,分别...
(3)当 TiO2 薄膜含有Ti3+时 12、,是一种非常重要的气敏材料(3)。 (4)同时 TiO2薄膜也是一种优良的光电极材料(5)。 研究采用溶胶凝胶技术以载玻片为基质制备了纳米TiO2薄膜,向溶胶中添加乙酰丙酮后改善了溶胶的稳定性及薄膜的牢固性。用扫描探针显微镜(DFM)、X射线衍射(XRD)、红外光谱(IR)及x射线光电子能谱...
这种较小的带隙可归因于由增加的Ti3+态、氧空位、羟基和不同能级的其他缺陷引起的跃迁。由于Pt的负载小或尺寸有限,Pt 原子的进一步沉积不会引起def-TiO2吸收的任何明显变化。XPS表明(图2f)TiO2中仅观察到两个以 464.3 和 458.6 eV 为中心的Ti 2p峰。
图5为ti3c2/tio2复合材料的xps图像图二。 具体实施方式 以下结合附图和具体实施例,对本发明进行详细说明。 本实施例提供了一种ti3c2/tio2二维材料的制备方法,该制备方法在ti3c2mxene上原位生长tio2得到了二维的ti3c2/tio2复合材料,二维的ti3c2/tio2复合材料不仅兼具ti3c2mxene和tio2的优点,而且ti3c2与tio2形成了肖特...