HfO2@TiO2纳米片(HfO2@TiO2) Ns的引入使得纳米复合材料比聚偏氟乙烯-共六氟丙烯(P(VDFHFP))基体具有更高的介电常数和更低的介电损耗。此外,具有高宽高比的HfO2@TiO2Ns可以建立有效的屏障,限制空间电荷传导,阻碍击穿过程中电树的生长,具有...
齐岳供应TiO2/ZnO,HfO2/ZnO,Al2O3/ZnO核壳结构材料 氮化硅α-Si3N4纳米线 通过引入核壳结构,比如ZnO-TiO2,ZnO-Al2O3核壳结构纳米棒阵列,可以增加激子的库伦力束缚半径,从而提高激子的解离几率,降低电子-空穴复合。然而,由于金属氧化物半导体的导电率不高,因而金属氧化物在太阳能电池器件中的应用仍不尽理想。因...
京迈研 二氧化铪靶材 HfO2 target 磁控溅射镀膜材料 纯度99.99% 定制 ￥1000.00 查看详情 京迈研 科研实验定制 二氧化锆靶材 ZrO2 磁控溅射镀膜材料 纯度99.99% ￥1000.00 查看详情 京迈研 科研定制 二氧化硅靶材 SiO2磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料 ￥200.00 本店由搜好货运营支持 获取底价 北京京迈研材料科技有限...
首先通过水热生长的方法在FTO衬底上制备出TiO2纳米线阵列(NWA),再利用原子层沉积(ALD)沉积一层HfO2薄膜,以Cu作为顶电极得到Cu/HfO2/TiO2 NWA/FTO结构的忆阻器。在引入HfO2之后,器件在操作电压、保持性和性能一致性等方面得到了改善,并且通过调节SET过程中的限流大小还能够实现稳定的多级阻变功能。从原理上分析,该...
本研究通过使用尿素作为结构引导剂,在简单且温和的过程中合成了氮掺杂的TiO2空心纳米球,并通过煅烧处理引入了丰富的氧空位(OV)。这种优化的缺陷TiO2在动态氮气气氛下煅烧后,表现出了最佳的光催化活性,氢气演化速率达到2867 μmol g−1h−1...
ALD沉积 Al2O3,Ta2O3 HfO2,ZrO2,SiO2,TiO2,Si3N4,AlN,TaN等材料,TiO2沉积温度低至75摄氏度,8寸晶圆Uniformity1.5以内 优点:超优越的膜厚控制,超优越的保形性 PLD沉积SrTiO3,BaTiO3,MgO 面向头部企业,研究单位等单位的可见光近红外波段超透镜仿真设计(从仿真设计到demo样品,国内前五设计团队,经验丰富,算法超...
Fanga Q, Zhanga J-Y, Wang ZM, Wub JX, O'Sullivanc BJ, Hurleyc PK, Leedhamd TL, Davies H, Audier MA, Jimenez C, Senateure J-P, Boyd Ian W (2003) Investigation of TiO2-doped HfO2 thin films deposited by photo-CVD. Thin Solid Films 428:263-268...
The system HfO2-TiO2 was investigated in the 0 to 60 mol% TiO2 region using X-ray diffraction analysis, differential thermal analysis, melting-point studies, and dilatometry. For samples quenched from 1500° and 1250°C, single-phase HfTiO4 is present ∼36 to 53% TiO2, with HfO2 ...
氧化物类:二氧化铪HfO2、氧化铪HfO、 一氧化硅SiO、二氧化钛TiO2、二氧化硅SiO2、二氧化铈CeO2、三氧化二铝AL2O3、五氧化三钛TiO5、氧化镁MgF2、一氧化钛TiO、三氧化二钛Ti2O3、七氧化四钛Ti4O7、二氧化锆ZrO2、五氧化二钽Ta2O5、三氧化二钇Y2O3、二氧化铪HfO2、三氧化二钪Sc2O3、氧化锌ZnO、三氧化钨WO3...
Hf(OC2H5)4白色固体 CVD材料是将带有蒸汽压的原材料进行气化,在各种条件下利用气相中的化学变化,对目标物质进行成膜的材料。 1、Hf粉末 2、HfO2粉末 3、HfO2靶材 4、HfB2粉末 5、HfC粉末 6、Hf(OC2H5)4白色固体 7、涂布型材料 Hf-05黄色液体