HfO2@TiO2纳米片(HfO2@TiO2) Ns的引入使得纳米复合材料比聚偏氟乙烯-共六氟丙烯(P(VDFHFP))基体具有更高的介电常数和更低的介电损耗。此外,具有高宽高比的HfO2@TiO2Ns可以建立有效的屏障,限制空间电荷传导,阻碍击穿过程中电树的生长,具有...
等,皆獲得不錯的效果.其中,於上下電極之間堆疊兩層固態電解質薄膜的雙層式結構,因製程簡單方便,可在全室溫環境下製作,而成為改善元件轉換特性的重要指標.本研究採用室溫製程,以TiO2與HfO2作為固態電解質材料,並使用射頻磁控濺鍍法分別製作了單層的Pt/TiO2/W,Pt/HfO2/W,以及雙層的Pt/TiO2/HfO2/W等電阻式記憶體,...
齐岳供应TiO2/ZnO,HfO2/ZnO,Al2O3/ZnO核壳结构材料 氮化硅α-Si3N4纳米线 通过引入核壳结构,比如ZnO-TiO2,ZnO-Al2O3核壳结构纳米棒阵列,可以增加激子的库伦力束缚半径,从而提高激子的解离几率,降低电子-空穴复合。然而,由于金属氧化物半导体的导电率不高,因而金属氧化物在太阳能电池器件中的应用仍不尽理想。因...
京迈研 二氧化铪靶材 HfO2 target 磁控溅射镀膜材料 纯度99.99% 定制 ￥1000.00 查看详情 京迈研 科研实验定制 二氧化锆靶材 ZrO2 磁控溅射镀膜材料 纯度99.99% ￥1000.00 查看详情 京迈研 科研定制 二氧化硅靶材 SiO2磁控溅射材料 电子束镀膜蒸发料 ￥200.00 本店由搜好货运营支持 获取底价 北京京迈研材料科技有限...
首先通过水热生长的方法在FTO衬底上制备出TiO2纳米线阵列(NWA),再利用原子层沉积(ALD)沉积一层HfO2薄膜,以Cu作为顶电极得到Cu/HfO2/TiO2 NWA/FTO结构的忆阻器。在引入HfO2之后,器件在操作电压、保持性和性能一致性等方面得到了改善,并且通过调节SET过程中的限流大小还能够实现稳定的多级阻变功能。从原理上分析,该...
ALD沉积 Al2O3,Ta2O3 HfO2,ZrO2,SiO2,TiO2,Si3N4,AlN,TaN等材料,TiO2沉积温度低至75摄氏度,8寸晶圆Uniformity1.5以内 优点:超优越的膜厚控制,超优越的保形性 PLD沉积SrTiO3,BaTiO3,MgO 面向头部企业,研究单位等单位的可见光近红外波段超透镜仿真设计(从仿真设计到demo样品,国内前五设计团队,经验丰富,算法超...
The system HfO2-TiO2 was investigated in the 0 to 60 mol% TiO2 region using X-ray diffraction analysis, differential thermal analysis, melting-point studies, and dilatometry. For samples quenched from 1500° and 1250°C, single-phase HfTiO4 is present ∼36 to 53% TiO2, with HfO2 ...
In this work, we report a 2D MoS2 based negative capacitance field effect transistor with a novel HfO2/TiO2/HfO2 tri-layer structure as the high-K gate oxide and lead zirconate titanate, Pb(Zr1-xTix) O3 (PZT), as the ferroelectric in the gate stack. The extensively high Ion/Ioff of 3...
A. Campbell, "A study of mixtures of HfO2 and TiO2 as high-k gate dielectrics," Microelectronic Engineering, vol. 72, pp. 263-266, 4// 2004. DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2004.01.001.F. Chen, X. Bin, Chella, X. Shi, W. L. Gladfelter, S. A. Campbell, “A study...
Tetrakis (diethylamino) hafnium, tetrakis (diethylamino) titanium and H2O were used for the atomic layer deposition of HfO2, TiO2 and HfxTi1-xO2 films on silicon substrates. The addition of Ti was investigated as a means to increase the scalability of HfO2 by increasing the dielectric constant ...