在沉积钛氮化物(TiN)时,控制薄膜的电阻率和应力是确保材料性能和器件稳定性的关键因素。通过优化工艺参数、设计合理的多层结构、精确调控气氛气体和实施适当的后处理工艺,可以有效控制TiN薄膜的电阻率和应力,从而满足不同应用领域的需求。
比如,温度的变化会直接改变 Tin 原子层的排列结构,进而影响电阻率。不同的沉积基底材料,也会导致电阻率有所差异。以硅基底为例,其与特定的沉积工艺结合,所得的电阻率数值相对稳定。实验中,当沉积速率为每分钟 10 纳米时,电阻率出现了明显的波动。而将沉积速率调整至每分钟 5 纳米,电阻率则趋向于一个较理想的...
室温电导率是5*104 S.cm-1
您好，久等啦...Tin/Lend:40/60 Flutr:1.8% 的电烙丝电阻率是10Ω·cm。电阻率R=ρl/s ,l为电阻的长度,s为横切面积,R为长度为l的电阻. 电阻率的单位应该是 Ω·m或Ω·mm 。希望我的回答可以帮助到您呢，祝您生活愉快呢。[心][心][心][心][心]您好，可以的呢。
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[求助] 求助关于四探针电阻率测TiN薄膜时读数不稳定的问题 我用四探针电阻仪测TiN薄膜的电阻率时,探针放到薄膜表面后电流指数不断在变化,变小,不知道是什么原因?测别的块体和薄膜时没有这种情况,是不是我的薄膜太薄了,我用的薄膜最厚的有130nm 。
, TiN 金属 绝缘体 金属 电容器广泛应用于动态 率 表面粗糙度等性能提出了更高的要求 因此薄膜制 - - (MIM) 、 ,随机存取存储器 和射频及模拟集成电路等微 备技术的发展和优化十分关键 (DRAM) 。电子产品中[1-2] 当前高电容密度 电容器主要使 面向微电子器件应用的 电极的制备方 法 主 。 MIM TiN用 ...
在本研究中,研究了使用热原子层沉积(ALD)方法沉积的TiN薄膜的沉积温度的影响。使用 TiCl4 前驱体和 NH3 反应气体,比较了 400 ° C – 600 ° C沉积温度范围内的沉积速率、电阻率变化和表面形貌特征。随着沉积温度的升高,电阻率降低至 177 µ Ω cm到 600 ° C 时,表面粗糙度 (Rq) 增加至 0.69 nm,并...
磁控PVD等离子体浓度更高,可以实现极佳的沉积效率、大尺寸范围的沉积厚度控制、精确的成分控制等,主要用于Al金属籽晶层、TiN金属硬掩膜,在当前金属薄膜PVD中处于主导地位。 溅射工艺条件 1、工艺气体:工艺气体应不与要沉积的薄膜反应,所以气体仅局限于惰性气体Ar2是最常用的,既便宜又可保证足够的离化率 。