UCC21750是德州仪器TI推出的一款高速隔离门极驱动器,主要应用于电力电子、工业自动化、医疗设备、通信设备等领域。 技术参数: - 工作电压范围:4.5V至18V - 驱动电流峰值:5A - 隔离电压:5.7kVrms - 最大工作温度:125℃ - 支持高达100MHz的数据传输速率 - 内置多种保护功能,如过流保护、过温保护、欠...
UCC21750是德州仪器TI推出的一款高速隔离门极驱动器，主要应用于电力电子、工业自动化、电动汽车等领域。技术参数：1. 高速隔离：最高可达5kVrms 2. 高速驱动：最高可达10MHz 3. 低功耗：静态电流仅为2.5mA 4. 宽温度范围：-40℃至125℃ 5. 封装形式：16引脚SOIC 应用市场：1. 电力电子：用于IGBT、MOSFET...
TI公司的UCC21750是设计用于1700V SiC MOSFET和IGBT单路隔离的栅极驱动器,具有先进的保护特性,业界最好的动态性能和鲁棒性以及高达±10-A峰值源电流和沉电流.输入和输出的隔离采用SiO2电容隔离技术,支持高达1.5-kVRMS工作电压,2.8-kVPK抗浪涌和大于40年的隔离寿命,以及部件和部件间低差别和>150V/ns的共模噪音抑制(...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS的工作电压、12.8kVPK的浪涌抗扰度,隔离层...
UCC21750-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,用于具有高达 2121V 直流工作电压的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有高级保护功能 功能、出色的动态性能和稳健性。UCC21750-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。 输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔...
UCC21750QDWQ1 引脚图 | 封装图 | 封装焊盘图 | 3D 模型 UCC21750QDWQ1 引脚图 UCC21750QDWQ1 封装图 UCC21750QDWQ1 封装焊盘图 UCC21750QDWQ1 3D 模型 产品概述 适用于 SiC/IGBT 的汽车类 ±10A 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125 ...
UCC21750QDWQ1 由TI 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikey 等渠道进行代购。 UCC21750QDWQ1 价格参考￥ 49.7124 。 TI UCC21750QDWQ1 封装/规格: SOIC16_300MIL, 10A 栅极驱动器 容性耦合 5700Vrms 1 通道 16-SOIC。你可以下载 UCC21750QDWQ1 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书...
UCC21750DW 全球供应商 全球供应商 (4家) 刷新货币单位: 需求数量: -+ 含%增值税 供应商发货地库存数量交期(天)MOQ货币1+10+100+1K+10K+购买 AiPCBA -267立即发货1RMB ¥税39.71639.71639.71639.71639.716购买 德州仪器(TI) -立即发货1RMB ¥税37.64037.64030.68220.45520.455询价 ...
型号:UCC21750QDWRQ1 品牌:TI(德州仪器) 综合元器件 TI UCC21750QDWRQ1---0(1起订) ¥19.87200 ▼ 当前型号加入购物车 型号:UCC21750QDWQ1 品牌:TI PIN to PIN 隔离式栅极驱动器 ---9346(起订) ¥28.58900 ▼ UCC21750QDWRQ1(TI)和UCC21750QDWQ1(TI)的区别 ...
TI公司的ucc21750是设计用于1700VSiCMOSFET和IGBT单路隔离的栅极驱动器,具有 先进的保护特性,业界最好的动态性能和鲁棒性以及高达±10-A峰值源电流和沉电流.输入和 输出的隔离采用SiO2电容隔离技术,支持高达1.5-kVRMS工作电压,2.8-kVPK抗浪涌和大 于40年的隔离寿命,以及部件和部件间低差别和>150V/ns的共模噪音抑...