与TSV这一概念相对的，在玻璃基板上制造的通孔也被称为玻璃通孔(throughglassvia,TGV)。基于IPD与TGV工艺制造的三维电感器照片如下图所示，由于玻璃衬底的电阻率远高于Si等常规半导体材料，因此TGV三维电感器具有更优异的绝缘特性，在高频下衬底寄生效应所造成的插入损耗要远小于常规TSV三维电感器。另一方面，还可在玻...
图1,(a) 准备玻璃晶圆,(b)形成TGV,(c)PVD阻挡层,种子层,双面电镀-沉积铜,(d)退火及CMP化学机械抛光,去表面铜层,(e)PVD镀膜及光刻,(f)布置RDL重布线层,(g)去胶及Cu/Ti 刻蚀,(h)形成钝化层(介电层)。 首先,来料检测,制作玻璃通孔(TGV)。TGV 的成孔工艺主要包括喷砂、超声波钻孔、湿法刻蚀、深反应...
截止目前，玻璃通孔三维互连技术发展的主要困难包括：1）现有的方法虽然可以实现TGV，但有些方法会损伤玻璃，造成表面不光滑；有些方法的加工效率低，没法大规模量产；2）TGV的高质量填充技术，与TSV不同，TGV孔径相对比较大且多为通孔，电镀时间和成本将增加；3）与硅材料相比，由于玻璃表面平滑，与常用金属（如Cu...
TSV（Through Silicon Via）是指通过在硅中介层打孔的方式实现实现垂直互联，而与之对应的TGV（Through Glass Via，玻璃通孔）是指穿过玻璃基板的垂直电气互连，它们都通过在中介层打孔并进行电镀填充来实现垂直方向的电气互联，以此来降低信号传输的距离，增加带宽和实现封装的小型化。而与TSV不同的是，TGV的中介层基...
诱导玻璃产生连续的变性区,变性玻璃在氢氟酸中刻蚀速率较未变性玻璃更快,基于此特 性可在 50-500μm 厚的玻璃上形成孔径大于20μm的玻璃通孔。该技术成孔质量均匀,一致 性好,无裂纹;成孔速率快,可达到 290 TGV/s;TGV形貌可调,由于刻蚀的各向异性,可 ...
玻璃通孔(TGV)是通过玻璃基板实现的垂直电互连,与 TSV 相对应。玻璃基板具有比普通硅和 SOI 基板更优异的电性能和更低的寄生电容,有利于扩展高频信号的传输。玻璃优异的光学性能使其更适合于微光机电系统 (MOEMS) 等光学应用。调整玻璃成分和优化表面处理可以改变基板的热膨胀系数 (CTE) 和机械强度,从而提高金属粘...
TGV(Through-Glass Via),玻璃通孔,即是一种在玻璃基板上制造贯穿通孔的技术,与硅通孔(TSV)都是先进封装中不可或缺的。 相比于TSV(硅通孔),玻璃通孔的优点: 1,玻璃材料具有低介电损耗和高介电常数,适合高频应用,如5G和毫米波通信。 2,玻璃基板的热膨胀系数小,适合高密度封装,减少热应力。
1.3 TGV 工艺流程：成孔/填孔为两大核心环节，技术难度较高 1.3.1 TGV 成孔技术：方法众多，各有优劣 TGV 成孔技术需兼顾成本、速度及质量要求。制约玻璃通孔技术发展的主要困难之一是 TGV 成孔技术，其需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等一系列要求。多年以来，业界及学界许多...
玻璃通孔（Glass Via）是指在玻璃材料中开设的小孔或孔道，这些孔道通常用于连接电路板上的不同层次，类似于传统电路板上的通孔技术。玻璃由于其优异的绝缘性能、机械强度和透明特性，逐渐成为电子产品中重要的结构性材料之一。通过在玻璃中打通微型孔洞，可以实现信号传输或电气连接，从而解决了传统PCB（印刷电路板）中...
近年来，TGV（玻璃通孔）中介板作为一种替代硅基中介板的创新材料，正逐渐受到行业的广泛关注。其独特的玻璃基板材质，不仅在垂直电气互连方面展现出优越性，更被视为下一代三维集成技术的关键候选者。1、玻璃通孔成孔技术的挑战：实现高精度通孔与盲孔的制备玻璃通孔成孔技术是TGV技术发展的核心难题之一。为了满足...