TGM9398-25 以及X-,Ku-Band (Internally Matched Power GaAs FETs)附带内部匹配电源的砷化镓功率场效应晶体管。我们提供高性能 GaN 和工业标准封装的便利性,可加快设计和制造,且都由我们行业领先的可靠性作为保障。由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点,GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点. ...