The TriQuint TGF2023-02 is a discrete 2.5 mm GaN on SiC HEMT which operates from DC-18 GHz. The TGF2023-02 is designed using TriQuint’s proven 0.25um GaN production process. This process features advanced field plate techniques to optimize microwave power and efficiency at high drai...
TGF2023-2-02离散2.5 mm GaN Qorvo的TGF2023-2-02是SiC HEMT上的离散2.5 mm GaN,工作频率范围为DC至18 GHz。 TGF2023-2-02通常提供40.1 dBm的饱和输出功率,在3 GHz时的功率增益为21 dB。TGF2023-2-02的最大功率附加效率为73.3%,非常适合高效率应用。 频率范围:DC至18 GHz 3 GHz时40.1 dBm标称Psat 最...
型号 TGF2023-2-02 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格...
Qorvo 的 TGF2023-2-02 是一款分立式 2.5 mm GaN on SiC HEMT,工作频率范围为 DC 至 18 GHz。 TGF2023-2-02 通常提供 40.1 dBm 的饱和输出功率,在 3 GHz 时具有 21 dB 的功率增益。最大功率附加效率为 73.3%,这使得 TGF2023-2-02 适合高效应用。 产品规格 最低频率(MHz) 直流电 最大频率(MHz) ...
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The TGF2023-2-02 typically provides 40.1 dBm of saturated output power with power gain of 21 dB at 3 GHz. The maximum power added efficiency is 73.3% which makes the TGF2023-2-02 appropriate for high efficiency applications. The part is lead-free and RoHS compliant. ...
类似零件编号 - TGF2023-2-02_15 制造商部件名数据表功能描述 TriQuint SemiconductorTGF2023-2-01 2Mb/22P6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-01 2Mb/22P6 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT TGF2023-2-05 2Mb/19P25 Watt Discrete Power GaN on SiC HEMT ...
爱燃烧爱摄影 起终点 王立利 10:02-10:06 下载 0 收藏 0 赞 0 下载原图 添加到 喜欢 分享到: DSC_8304 照片标签: 爱燃烧机器人pi 标记 A1916 添加照片标签: 输入照片中选手的号码/姓名,可通过照片标签查找到这张照片 微信扫一扫, 保存到手机 评论 您需要登录才能回复...
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照片 2017年蒸蒸日上迎新四环跑 起终点 王立利 10:02-10:06 爱燃烧爱摄影 起终点 王立利 10:02-10:06 下载0 收藏0 赞0 下载原图 添加到 喜欢 照片标签: 爱燃烧机器人pi标记A2852 添加照片标签: 输入照片中选手的号码/姓名,可通过照片标签查找到这张照片 ...