型号 TGAN30N135FD1 封装/规格 TO-3PN-3L 包装 托盘 最小包装量 2500 数量 99999 批号 NEW 封装 TO-3PN-3L 应用 电机 名称 IGBT Remark RoHS 品牌 TRINNO/特瑞诺 PDF资料 TGAN30N135FD1_final_datasheet_rev2_0.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品...
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30A1350V，TO-3P封装，管脚定义从左到右依次是G、D、S，D与S间有保护二极管，正向导通，反向不通，其他极间未触发时不导通。给GE加一个正向触发电压（指针式10kΩ档），此时CE导通，近似零阻值；再给GE一个反向触发电压，C、E就不通，测量时就一个二极管的性质。
TGAN30N135FD1 电子元器件 TRINNO 资料 规格书 数据手册 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注...
TGAN30N135FD1 应用 : Induction Heating, Soft switching application TGAN30N135FD1 型号及参数说明 联系方式 企业名:珠海市金盈电子科技有限公司 类型:贸易/代理/分销 电话:0756-8947678 0756-8712028 手机:18926988298 联系人:王生/陈生 QQ: 邮箱:zhjydz@qq.com ...
TGAN30N135FD1 IGBT. Datasheet pdf. Equivalent Type Designator: TGAN30N135FD1 Type: IGBT + Anti-Parallel Diode Type of IGBT Channel: N Pcⓘ - Maximum Power Dissipation: 329 W |Vce|ⓘ - Maximum Collector-Emitter Voltage: 1350 V |Vge|ⓘ - Maximum Gate-Emitter Voltage: 25 V |...