本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究.与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性.增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N~+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻...
tft非晶硅器件电学特性漂移工艺制 图1一14TFTOLED驱动电路 重,同时就普通a一51:HTFT一LCD显示产品而言,a一51:HTFT器件电学特性漂移 的现象也是广泛存在的,并且在车载显示、航天军工等恶劣环境下使用的产品, 对产品性能可靠性要求也极为严格,尤其是针对电学特性漂移的要求,更是其要 求的重点。基于此,a一51:HTFT...
本文为分析研究适用于实际集成电路设计的多晶硅 TFT 器件模型,开展了以下研究工 作: 首先,由于多晶硅薄膜材料带隙内的陷阱态分布,对多晶硅 TFT 的电学特性产生极为 重要的影响,因此,完整且准确地表征带隙内陷阱态的分布,是对多晶硅 TFT 进行系统物 理机理研究的前提和亟需解决的核心问题。本文将 OEMS 技术应用于...
本文 TFT 器件是基于氧化物 IGZO 为有源层,栅绝缘层采用 Si3N4 / SiO2双层结构,采用两次补偿曝光、干刻方式消除干刻引入的下切角形状,有效解决了薄膜沉积引入的断线风险。实验结果表明,经过 SEM 断面观察,干刻后双层结构 taper 角度适合 TFT 器件后续沉膜条件,柔性基底上制作的 TFT 器件迁移率达到14.8cm 2 /...
G05 基于柔性 基底的氧化物 器件 PI IGZOTFT 工艺及特性研究 ∗ , , , , 陈龙龙 张建华 李喜峰 石继锋 孙翔 ( , ) 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 上海 200072 : , 摘要 讨论了基于柔性 基底上的底栅型 器件工艺 通过工艺优化解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形 PI TFT ....
图6所示的图形为TFT器件性能测试用TEG结构,器件W/L=6μm/10μm,根据饱和区电流方程式(1)所示: 图7所示为TFT测试器件的I-V转称特性曲线,可以推算得到饱和迁移率μn约为14.8 cm2/(V·s),阈值电压Vth在0.5 V左右,亚域值摆幅SS接近0.5 V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff>106。 本文讨论了基于PI柔性基底上...