QH8KA1TCR由ROHM(罗姆)设计生产,立创商城现货销售。QH8KA1TCR价格参考￥4.8。ROHM(罗姆) QH8KA1TCR参数名称:类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.5A;导通电阻(RDS(on)):73mΩ@10V,4.5A;耗散功率(Pd):2.4W;阈值电压(Vgs(th)):2.5V;栅极电荷量
QH8JA1TCR ROHM Semiconductor 功率MOSFET 参数信息 制造商 ROHM Semiconductor 制造商编号 QH8JA1TCR 商品目录 功率MOSFET FET类型 2P-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 5A Rds On(Max)@Id,Vgs 38mΩ@5A,4.5V 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 1mA 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最...
QH8KA1TCR ROHM Semiconductor 功率MOSFET 参数信息 制造商 ROHM Semiconductor 制造商编号 QH8KA1TCR 商品目录 功率MOSFET FET类型 2N-Channel 漏源极电压Vds 30V 连续漏极电流Id 4.5A Rds On(Max)@Id,Vgs 73mΩ@4.5A,10V 不同Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA 不同Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(...
QH8JA1TCR - 南皇电子长期提供竞争力的价格、订货及技术支持,ROHM代理稳定货源。图片信息 基本技术信息: 电子器件型号:QH8JA1TCR 原始制造厂商:ROHM,罗姆 技术标准参数:20V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET 产品应用分类:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 点击此处下载QH8JA1TCR的原厂技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
李佳琦回应去演戏传闻 笑称将化鬼妆进行直播 关注 赞 评论 你还在焦虑吗?焦虑危害大,别让焦虑拖垮了你的健康 解放军震慑“谋独”挑衅 台媒:首例一天内两次进行“联合战备警巡”#海峡新干线 #台湾省 #联合战备警巡 中国普通人的作用西方商界早已了解,但西方媒体和政客却选择视而不见 结婚“有奖”?浙江...
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这么冷的天去房子🏠转转 还没有装修好 就想去看看 感慨一下不靠父母的帮衬托起的小家是多么的不容易 我前面没人栽树,所以我只能做栽树的人,快不快乐不知道,我只知道生活如果没有人托举,真的会很累很苦 愿我们新的一年所想之事都顺心如意🎊🎊🎊🎊🎊🎊 这么冷的天去房子🏠转转 还没有装修好 ...
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