TCB设备的心脏是贴片头(Bond Head),由线性伺服马达(Linear Servo Motor)驱动空气轴承(Air Bearing)运动,如图7所示。有赖于高精度的伺服系统以及无摩擦的空气轴承导轨,垂直方向的运动精度可以控制在1um以内,从而实现锡球熔化过程下的微移动的精准控制。 贴片头配备了应力控制单元(Force Sensor),快速升降温脉冲加热器(P...
“Hybrid Bonding是针对微纳米这种高端工艺的,这种技术不是每一种产品可以应用,因为它的价格和成本都很高,所以我觉得几种高端产品会有这种应用,大部分的芯片还是会用到传统的方法。”研究人员指出,和TCB是一个后段制程不一样,混合键合某种程度上是一个前道工艺,所以这带来的挑战...
英特尔公司选择了基于基板(Substrate)的TCB(Thermal Compression Bonding 热压键合)工艺以替代传统的回流焊(Reflow)。该设备为英特尔和ASMPT公司联合开发,并于2014年导入量产,该设备有着极高的加工精度及丰富的可扩展性,不但可用于基板级封装,还可用于晶圆级封装,这就为英特尔在之后数年推出EMIB,Foveros等先进封装方式打...
对英特尔来讲,全新理念的TCB设备让该公司的封装能力有了无限可能,除了更轻薄外,还可以做更复杂的封装,比如EMIB,Foveros,3D Die Stack等等。而对于ASM-P来说,TCB的成功让其一跃而成为封装细分领域的龙头之一,在先进分装领域牢牢锁定一席之地,此后ASM-P公司继续在SMT行业攻城略地,续写辉煌。 至此TCB修成了正果,下...
具体来说,TCB键合过程包括以下几个关键步骤: 预处理:在键合之前,通常需要对芯片和基板的凸点表面进行平坦化处理,如化学机械抛光(CMP),以确保凸点表面能够充分接触,提高键合质量。 加热:将芯片和基板加热至预定温度,使凸点表面的金属原子获得足够的能量进行扩散。加热温度通常根据金属材料的熔点和扩散系数来确定。
热压键合(TCB)工艺的基本原理与传统扩散焊工艺相同,即上下芯片的Cu 凸点对中后直接接触,其实现原子扩散键合的主要影响参数是温度、压力、时间. 由于电镀后的Cu 凸点表面粗糙并存在一定的高度差,所以键合前需要对其表面进行平坦化处理,如化学机械抛光(chemical mechanical polishing,CMP),使得键合时Cu 表面能够充分接触....
热压键合工艺技术是一种高精度、高可靠性的半导体芯片封装技术。以下是该技术的详解：1. 技术原理： 热压键合工艺通过直接接触并施加压力和温度来实现铜铜键合，其原理与传统扩散焊工艺相似。2. 工艺步骤： 基板预热：对基板进行预热，为后续步骤做准备。 助焊剂喷涂：在基板或芯片上喷涂助焊剂，以辅助...
键合时间一般从几秒到几十秒不等。热压键合TCB常用的材料有金属合金等。 某些金属材料在热压键合TCB中有良好导电性。部分合金材料能提升热压键合TCB的机械稳定性。热压键合TCB设备要能精确控制温度和压力。高精度的温度传感器用于监测热压键合TCB温度。压力控制系统确保热压键合时压力稳定。先进的热压键合TCB设备具备自动化...
并且显著缩短贴片所需时间。加热单元中温度控制是TCB热压键合系统的关键。以上就是TCB设备的细节详述，TCB设备利用先进的技术和精密的设备，可以实现高精度的焊接，同时减少了传统工艺中存在的缺陷。在半导体封装产业链中，TCB设备具有重要的地位和作用，可以提高封装的质量和效率。
热压键合（TCB）工艺在英特尔等公司引入，作为应对回流焊挑战的一种解决方案。它通过直接接触并施加压力和温度来实现铜-铜键合，与传统扩散焊工艺原理相似。热压键合步骤包括基板预热、助焊剂喷涂、芯片加热及定位、芯片与基板接触、加热至锡球熔点、冷却至固态以及最终移除真空吸附。在整个过程中，设备实时监测...