TC58BVG0S3HTA00 中文资料规格参数 参数列表 搜索代替器件 技术参数 工作电压 2.7V ~ 3.6V 位数 8 存取时间 25 ns 工作温度(Max) 70 ℃ 工作温度(Min) 0℃ 电源电压 2.7V ~ 3.6V 封装参数 安装方式 Surface Mount 引脚数 48 封装 TSOP-48
TC58BVG0S3HTA00是一款NAND闪存芯片,以下是它的详细参数信息: 制造商:Toshiba(东芝半导体),也有信息表明其制造商为Kioxia(铠侠,原东芝存储器业务独立出来的公司)。 产品种类:NAND闪存。 存储容量:1Gbit(128M x 8)。 接口类型:Parallel(并行)。 电源电压:最小2.7V,最大3.6V。不过,也有信息表明其最小电源电压为...
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价格 ¥ 15.00 起订数 1个起批 发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 存储器/控制器 商品关键词 TC58BVG0S3HTA00/NVG、 KIOXIA/TOSHIBA、 BGA 商品图片 商品参数 品牌: KIOXIA/TOSHIBA 封装: BGA 批号: 23+ 数量: 10000 制造商: Kioxia America, Inc. 种类: FLASH闪存...
集成电路(IC)-存储IC-TC58BVG0S3HTA00-东芝-FPGA,BGA,QFP,SOP12-22+.pdf 下载 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最...
BENAND (Built-in ECC 品牌名称 KIOXIA(铠侠) 商品型号 TC58BVG0S3HTA00 商品编号 C113406 商品封装 TSOPI-48 包装方式 托盘 商品毛重 0.6克(g) 商品参数 参数完善中 数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1托盘 1+￥10.55 10+￥8.88 ...
功能描述MOSDIGITALINTEGRATEDCIRCUITSILICONGATECMOS 类似零件编号 - TC58BVG0S3HTA00 制造商部件名数据表功能描述 KIOXIA CorporationTC58BVG0S3HTAI0 1Mb/46PMOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS More results 类似说明 - TC58BVG0S3HTA00
型号 TC58BVG0S3HTA00 技术参数 品牌: KIOXIA/铠侠 型号: TC58BVG0S3HTA00 封装: TOSP48 批号: 24+ 数量: 8000000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -50C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 2V 最大电源电压: 8.5V 长度: 9.7mm 宽度: 9.5mm 高度: 1.8mm 价格说明 价格:商品在爱...
TheTC58BVG0S3HTA00isasingle3.3V1Gbit(1,107,296,256bits)NANDElectricallyErasableand ProgrammableRead-OnlyMemory(NANDE 2 PROM)organizedas(2048+64)bytes×64pages×1024blocks. Thedevicehasa2112-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetransferredbetweenthe registerandthememorycellarrayin2112-bytesincr...
TC58BVG0S3HTA00 TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS 1 GBIT (128M × 8 BIT) CMOS NAND E PROM DESCRIPTION The TC58BVG0S3HTA00 is a single 3.3V 1 Gbit (1,107,296,256 bits) NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM) organized as (...