【ITBEAR科技资讯】4月19日消息,近日,三星半导体在其韩国官网上发布了对两位公司高管的采访内容,主要聚焦于高带宽内存(HBM)的未来发展。两位高管在采访中透露,三星正计划运用TC-NCF工艺来生产16层的HBM4内存,这标志着该公司在内存技术领域的又一重要突破。 TC-NCF,即带凸块的传统多层DRAM间键合工艺,虽然相较于无...
MR-MUF技术由SK海力士多个团队共同开发,该技术能够同时对HBM产品中所有的垂直堆叠芯片进行加热和互联,比堆叠芯片后填充薄膜材料的TC-NCF技术更高效。此外,与TC-NCF技术相比,MR-MUF技术可将有效散热的热虚设凸块数量增加四倍。 MR-MUF技术另一个重要特性是采用了一种名为环氧树脂模塑料(EMC, Epoxy Molding Compound)...
HBM首先使用TSV技术、micro bumping技术在晶圆层面上完成通孔和凸点,再通过TC-NCF、MR-MUF、Hybrid Bonding工艺完成堆叠键合,然后连接至 logic die,封测公司采用cowos工艺将HBM、SoC通过interposer硅中介层形成互通,最终连接至基板。 其中,HBM制造中TSV成本占比最高,直接决定良率。